MJE13003VK3. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MJE13003VK3

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 400 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 200 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 9 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 5 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 10

Корпус транзистора: TO251

 Аналоги (замена) для MJE13003VK3

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

MJE13003VK3 даташит

 ..1. Size:230K  foshan
 mje13003vk3.pdf pdf_icon

MJE13003VK3

 4.1. Size:418K  blue-rocket-elect
 mje13003vk1.pdf pdf_icon

MJE13003VK3

MJE13003VK1(BR3DD13003VK1K) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-92 NPN Silicon NPN transistor in a TO-92 Plastic Package. / Features High Voltage Capability High Speed Switching. / Applications 110V Suitable for 110V circuit mode, fluore

 4.2. Size:446K  blue-rocket-elect
 mje13003vk7.pdf pdf_icon

MJE13003VK3

MJE13003VK7(BR3DD13003VK7R) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-220 NPN Silicon NPN transistor in a TO-220 Plastic Package. / Features RoHS High voltage capability, high speed switching, wide soa, RoHS compliant. / Applications 110V

 4.3. Size:232K  foshan
 mje13003vk5.pdf pdf_icon

MJE13003VK3

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: MJE13003VF1, MJE13003VG1, MJE13003VG5, MJE13003VH1, MJE13003VH5, MJE13003VI1, MJE13003VI5, MJE13003VK1, B647, MJE13003VK5, MJE13003VK7, MJE13003VN5, MJE13003VN7, MJE13004P1, MJE13004P3, MJE13005A, MJE13005DC