MJE210G datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: MJE210G  📄📄 

Маркировка: JE210

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 15 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 25 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 8 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 65 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 120 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 45

Корпус транзистора: TO126

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для MJE210G

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

MJE210G даташит

 ..1. Size:164K  onsemi
 mje200g mje210g.pdf pdf_icon

MJE210G

MJE200G (NPN), MJE210G (PNP) Complementary Silicon Power Plastic Transistors These devices are designed for low voltage, low-power, high-gain audio amplifier applications. http //onsemi.com Features 5.0 AMPERES High DC Current Gain POWER TRANSISTORS Low Collector-Emitter Saturation Voltage COMPLEMENTARY SILICON High Current-Gain - Bandwidth Product Annular Construc

 ..2. Size:115K  onsemi
 mje210g.pdf pdf_icon

MJE210G

MJE200 - NPN, MJE210 - PNP Preferred Device Complementary Silicon Power Plastic Transistors These devices are designed for low voltage, low-power, high-gain audio amplifier applications. http //onsemi.com Features 5.0 AMPERES Collector-Emitter Sustaining Voltage - POWER TRANSISTORS VCEO(sus) = 25 Vdc (Min) @ IC = 10 mAdc High DC Current Gain - COMPLEMENTARY SILICON hFE

 8.1. Size:63K  st
 mje210.pdf pdf_icon

MJE210G

MJE210 SILICON PNP TRANSISTOR SGS-THOMSON PREFERRED SALESTYPE PNP TRANSISTOR DESCRIPTION The MJE210 is a silicon epitaxial-base PNP transistor in Jedec SOT-32 plastic package, designed for low voltage, low power, high gain aydio amplifier applications. 1 2 3 SOT-32 INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Symbol Parameter Value Unit VCBO Collector-Base Voltage (IE

 8.2. Size:53K  st
 mje210 2.pdf pdf_icon

MJE210G

MJE210 SILICON PNP TRANSISTOR STMicroelectronics PREFERRED SALESTYPE PNP TRANSISTOR DESCRIPTION The MJE210 is a silicon Epitaxial-Base PNP transistor in Jedec SOT-32 plastic package, designed for low voltage, low power, high gain audio amplifier applications. 1 2 3 SOT-32 INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Symbol Parameter Value Unit VCBO Collector-Base

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: MJE171G, MJE172G, MJE18004G, MJE18008G, MJE180G, MJE181G, MJE182G, MJE200G, 8550, MJE210T, MJE243G, MJE253G, MJE270G, MJE271G, MJE2955A, MJE2955TG, MJE3055A