MJE253G datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: MJE253G  📄📄 

Маркировка: JE253

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 15 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 40 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 50 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 40

Корпус транзистора: TO126

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для MJE253G

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

MJE253G даташит

 ..1. Size:183K  onsemi
mje253g.pdfpdf_icon

MJE253G

MJE243 - NPN, MJE253 - PNP Complementary Silicon Power Plastic Transistors These devices are designed for low power audio amplifier and low-current, high-speed switching applications. http //onsemi.com Features 4.0 AMPERES High Collector-Emitter Sustaining Voltage - POWER TRANSISTORS VCEO(sus) = 100 Vdc (Min) High DC Current Gain @ IC = 200 mAdc COMPLEMENTARY SILICON hFE =

 ..2. Size:157K  onsemi
mje243g mje253g.pdfpdf_icon

MJE253G

 8.1. Size:187K  onsemi
mje243 mje253.pdfpdf_icon

MJE253G

MJE243 - NPN, MJE253 - PNP Complementary Silicon Power Plastic Transistors These devices are designed for low power audio amplifier and low-current, high-speed switching applications. http //onsemi.com Features 4.0 AMPERES High Collector-Emitter Sustaining Voltage - POWER TRANSISTORS VCEO(sus) = 100 Vdc (Min) High DC Current Gain @ IC = 200 mAdc COMPLEMENTARY SILICON hFE =

 8.2. Size:203K  cdil
mje243 mje253.pdfpdf_icon

MJE253G

Continental Device India Limited An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company NPN EPITAXIAL SILICON POWER TRANSISTOR MJE243 TO-126 Plastic Package E C B Complementary MJE253 Designed for Low Power Audio Amplifier and Low-Current, High-Speed Switching Applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS DESCRIPTION SYMBOL Value UNIT Collector Base Voltage VCBO 100 V Collector Emitter

Другие транзисторы: MJE18008G, MJE180G, MJE181G, MJE182G, MJE200G, MJE210G, MJE210T, MJE243G, C3198, MJE270G, MJE271G, MJE2955A, MJE2955TG, MJE3055A, MJE3055TG, MJE340G, MJE3439G