MJF6388G. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MJF6388G

Маркировка: MJF6388

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 40 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 20 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 200 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 3000

Корпус транзистора: TO220F

 Аналоги (замена) для MJF6388G

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

MJF6388G даташит

 ..1. Size:153K  onsemi
 mjf6388g.pdf pdf_icon

MJF6388G

MJF6388 (NPN), MJF6668 (PNP) Preferred Device Complementary Power Darlingtons For Isolated Package Applications Designed for general-purpose amplifiers and switching http //onsemi.com applications, where the mounting surface of the device is required to be electrically isolated from the heatsink or chassis. COMPLEMENTARY SILICON Features POWER DARLINGTONS Isolated Overmold Pac

 7.1. Size:338K  motorola
 mjf6388r mjf6668.pdf pdf_icon

MJF6388G

Order this document MOTOROLA by MJF6388/D SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA NPN MJF6388* Complementary Power PNP MJF6668* Darlingtons For Isolated Package Applications *Motorola Preferred Devices Designed for general purpose amplifiers and switching applications, where the COMPLEMENTARY mounting surface of the device is required to be electrically isolated from the heatsink SILICON

Другие транзисторы: MJF18008G, MJF2955G, MJF3055G, MJF31CG, MJF32CG, MJF44H11G, MJF45H11G, MJF47G, BD139, MJF6668, MJF6668G, MJH11017G, MJH11019G, MJH11020G, MJH11021G, MJH11022G, MJH16010