Справочник транзисторов. MJH11020G

 

Биполярный транзистор MJH11020G Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: MJH11020G
   Маркировка: MJH11020
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 150 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 200 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 200 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 3 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 400 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 400
   Корпус транзистора: TO218 TO247
 

 Аналог (замена) для MJH11020G

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

MJH11020G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:141K  onsemi
 mjh11020g.pdf pdf_icon

MJH11020G

MJH11017, MJH11019,MJH11021 (PNP)MJH11018, MJH11020,MJH11022 (NPN)Complementary Darlingtonhttp://onsemi.comSilicon Power TransistorsThese devices are designed for use as general purpose amplifiers,15 AMPERE DARLINGTONlow frequency switching and motor control applications.COMPLEMENTARY SILICONFeaturesPOWER TRANSISTORS High DC Current Gain @ 10 Adc hFE = 400 Min (

 6.1. Size:212K  motorola
 mjh11017 mjh11018 mjh11019 mjh11020 mjh11021 mjh11022.pdf pdf_icon

MJH11020G

Order this documentMOTOROLAby MJH11017/DSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAMJH10012(See MJ10012)Complementary DarlingtonPNPSilicon Power Transistors*MJH11017. . . designed for use as general purpose amplifiers, low frequency switching andmotor control applications.MJH11019* High DC Current Gain @ 10 Adc hFE = 400 Min (All Types) CollectorEmitter Sustaining Vo

 7.1. Size:141K  onsemi
 mjh11022g.pdf pdf_icon

MJH11020G

MJH11017, MJH11019,MJH11021 (PNP)MJH11018, MJH11020,MJH11022 (NPN)Complementary Darlingtonhttp://onsemi.comSilicon Power TransistorsThese devices are designed for use as general purpose amplifiers,15 AMPERE DARLINGTONlow frequency switching and motor control applications.COMPLEMENTARY SILICONFeaturesPOWER TRANSISTORS High DC Current Gain @ 10 Adc hFE = 400 Min (

 7.2. Size:141K  onsemi
 mjh11021g.pdf pdf_icon

MJH11020G

MJH11017, MJH11019,MJH11021 (PNP)MJH11018, MJH11020,MJH11022 (NPN)Complementary Darlingtonhttp://onsemi.comSilicon Power TransistorsThese devices are designed for use as general purpose amplifiers,15 AMPERE DARLINGTONlow frequency switching and motor control applications.COMPLEMENTARY SILICONFeaturesPOWER TRANSISTORS High DC Current Gain @ 10 Adc hFE = 400 Min (

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... MJF44H11G , MJF45H11G , MJF47G , MJF6388G , MJF6668 , MJF6668G , MJH11017G , MJH11019G , 2N2222 , MJH11021G , MJH11022G , MJH16010 , MJH16010A , MJH16012 , MJH16018 , MJH6284G , MJH6287G .

History: LMUN2116LT1G | 2SB624BV4

 

 
Back to Top

 


 
.