Биполярный транзистор MJW1302AG Даташит. Аналоги
Наименование производителя: MJW1302AG
Маркировка: MJW1302A
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 200 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 230 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 230 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 30 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 600 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 50
Корпус транзистора: TO247
Аналог (замена) для MJW1302AG
MJW1302AG Datasheet (PDF)
mjw1302ag.pdf

MJW3281A (NPN)MJW1302A (PNP)Complementary NPN-PNPSilicon Power BipolarTransistorshttp://onsemi.comThe MJW3281A and MJW1302A are PowerBaset powertransistors for high power audio, disk head positioners and other linear15 AMPERESapplications.COMPLEMENTARYFeaturesSILICON POWER TRANSISTORS Designed for 100 W Audio Frequency230 VOLTS 200 WATTS Gain Complementary:
mjw3281a mjw1302a.pdf

MJW3281A (NPN)MJW1302A (PNP)Complementary NPN-PNPSilicon Power BipolarTransistorshttp://onsemi.comThe MJW3281A and MJW1302A are PowerBaset powertransistors for high power audio, disk head positioners and other linear15 AMPERESapplications.COMPLEMENTARYFeaturesSILICON POWER TRANSISTORS Designed for 100 W Audio Frequency230 VOLTS 200 WATTS Gain Complementary:
mjw1302a.pdf

SPTECH Product SpecificationMJW1302ASPTECH Silicon PNP Power TransistorDESCRIPTIONHigh DC current amplifier rateh 50-200@V = 5V,I = 1AFE: CE CMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSHigh power audio, disk head positioners and other linearapplications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE U
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , BC546 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .



Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
irfp250 | irf640n datasheet | irf540 datasheet | irf530 | 2n3565 | irf530n | pn2222a datasheet | tip41c transistor