Справочник транзисторов. MJW21192

 

Биполярный транзистор MJW21192 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: MJW21192
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 100 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 150 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 150 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 4 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 15
   Корпус транзистора: TO247
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

MJW21192 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:150K  motorola
mjw21192 mjw21191.pdfpdf_icon

MJW21192

Order this documentMOTOROLAby MJW21192/DSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATANPNMJW21192Complementary Silicon PlasticPNPPower TransistorsMJW21191Specifically designed for power audio output, or high power drivers in audioamplifiers. DC Current Gain Specified up to 8.0 Amperes at Temperature All On Characteristics at Temperature High SOA: 20 A, 18 V, 100 ms8.0 AMPER

 ..2. Size:155K  onsemi
mjw21192 mjw21191.pdfpdf_icon

MJW21192

MJW21192 (NPN),MJW21191 (PNP)Complementary SiliconPlastic Power TransistorsSpecifically designed for power audio output, or high power driversin audio amplifiers. DC Current Gain Specified up to 8.0 A at Temperaturehttp://onsemi.com All On Characteristics at Temperature High SOA: 20 A, 18 V, 100 ms8.0 A TO-247AE PackagePOWER TRANSISTORS Pb-Free Packages

 ..3. Size:110K  savantic
mjw21192.pdfpdf_icon

MJW21192

SavantIC Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors MJW21192 DESCRIPTION With TO-247 package Complement to type MJW21191 Wild area of safe operation APPLICATIONS Designed for power audio output, high power drivers in audio amplifiers PINNING PIN DESCRIPTION1 Base 2 Collector Fig.1 simplified outline (TO-247) and symbol 3 Emitter ABSOL

 ..4. Size:218K  inchange semiconductor
mjw21192.pdfpdf_icon

MJW21192

isc Silicon NPN Power Transistor MJW21192DESCRIPTIONDC Current Gain Specified up to 8.0Amperes at Temperature High DC Current Gain h FE = 5(Min )@ I C = 8 AdcTO3PN PackageComplement to Type MJW21191Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for power audio output,or high power driversin audio

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

History: KMBTA05 | 2SC706 | DTA602 | 2SC1400U | ECG311

 

 
Back to Top

 


 
.