Справочник транзисторов. MJW3281AG

 

Биполярный транзистор MJW3281AG Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: MJW3281AG
   Маркировка: MJW3281A
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 200 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 230 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 230 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 30 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 600 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 50
   Корпус транзистора: TO247
 
   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

MJW3281AG Datasheet (PDF)

 ..1. Size:150K  onsemi
 mjw3281ag.pdf pdf_icon

MJW3281AG

MJW3281A (NPN)MJW1302A (PNP)Complementary NPN-PNPSilicon Power BipolarTransistorshttp://onsemi.comThe MJW3281A and MJW1302A are PowerBaset powertransistors for high power audio, disk head positioners and other linear15 AMPERESapplications.COMPLEMENTARYFeaturesSILICON POWER TRANSISTORS Designed for 100 W Audio Frequency230 VOLTS 200 WATTS Gain Complementary:

 6.1. Size:154K  onsemi
 mjw3281a mjw1302a.pdf pdf_icon

MJW3281AG

MJW3281A (NPN)MJW1302A (PNP)Complementary NPN-PNPSilicon Power BipolarTransistorshttp://onsemi.comThe MJW3281A and MJW1302A are PowerBaset powertransistors for high power audio, disk head positioners and other linear15 AMPERESapplications.COMPLEMENTARYFeaturesSILICON POWER TRANSISTORS Designed for 100 W Audio Frequency230 VOLTS 200 WATTS Gain Complementary:

 6.2. Size:1288K  cn sps
 mjw3281at4tl.pdf pdf_icon

MJW3281AG

MJW3281AT4TLDESCRIPTIONHigh DC current amplifier rateh 50-200@V = 5V,I = 1AFE: CE CMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSHigh power audio, disk head positioners and other linearapplications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Collector-Base Voltage 230 VCBOV Collector-Emitter V

 6.3. Size:365K  cn sptech
 mjw3281a.pdf pdf_icon

MJW3281AG

SPTECH Product SpecificationMJW3281ASPTECH Silicon NPN Power TransistorDESCRIPTIONHigh DC current amplifier rateh 50-200@V = 5V,I = 1AFE: CE CMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSHigh power audio, disk head positioners and other linearapplications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE U

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... MJL4302AG , MJW1302AG , MJW21191 , MJW21192 , MJW21193G , MJW21194G , MJW21195G , MJW21196G , A733 , 3CD010 , 3CD020 , 3CD030 , 3CD050 , 3CD075 , 3CD1 , 3CD100 , 3CD1010 .

History: JE9100A | RN2102MFV | KT350A | 2SC3975

 

 
Back to Top

 


 
.