MJW3281AG. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MJW3281AG

Маркировка: MJW3281A

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 200 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 230 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 230 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 30 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 600 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 50

Корпус транзистора: TO247

 Аналоги (замена) для MJW3281AG

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

MJW3281AG даташит

 ..1. Size:150K  onsemi
 mjw3281ag.pdf pdf_icon

MJW3281AG

MJW3281A (NPN) MJW1302A (PNP) Complementary NPN-PNP Silicon Power Bipolar Transistors http //onsemi.com The MJW3281A and MJW1302A are PowerBaset power transistors for high power audio, disk head positioners and other linear 15 AMPERES applications. COMPLEMENTARY Features SILICON POWER TRANSISTORS Designed for 100 W Audio Frequency 230 VOLTS 200 WATTS Gain Complementary

 6.1. Size:154K  onsemi
 mjw3281a mjw1302a.pdf pdf_icon

MJW3281AG

MJW3281A (NPN) MJW1302A (PNP) Complementary NPN-PNP Silicon Power Bipolar Transistors http //onsemi.com The MJW3281A and MJW1302A are PowerBaset power transistors for high power audio, disk head positioners and other linear 15 AMPERES applications. COMPLEMENTARY Features SILICON POWER TRANSISTORS Designed for 100 W Audio Frequency 230 VOLTS 200 WATTS Gain Complementary

 6.2. Size:1288K  cn sps
 mjw3281at4tl.pdf pdf_icon

MJW3281AG

MJW3281AT4TL DESCRIPTION High DC current amplifier rate h 50-200@V = 5V,I = 1A FE CE C Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS High power audio, disk head positioners and other linear applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Collector-Base Voltage 230 V CBO V Collector-Emitter V

 6.3. Size:365K  cn sptech
 mjw3281a.pdf pdf_icon

MJW3281AG

SPTECH Product Specification MJW3281A SPTECH Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION High DC current amplifier rate h 50-200@V = 5V,I = 1A FE CE C Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS High power audio, disk head positioners and other linear applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE U

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: MJL4302AG, MJW1302AG, MJW21191, MJW21192, MJW21193G, MJW21194G, MJW21195G, MJW21196G, 2SD1047, 3CD010, 3CD020, 3CD030, 3CD050, 3CD075, 3CD1, 3CD100, 3CD1010