3CD030. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 3CD030

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 3 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 25

Корпус транзистора: TO257

 Аналоги (замена) для 3CD030

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

3CD030 даташит

 ..1. Size:146K  china
 3cd030.pdf pdf_icon

3CD030

3CD030 PNP A B C D E F G H PCM TC=75 30 W ICM 3 A Tjm 175 Tstg -55 150 VCE=10V Rth 3.3 /W IC=1A V(BR)CBO ICB=1mA 30 50 80 100 120 150 200 250 V V(BR)CEO ICE=1mA 30 50 80 100 120 150 200 250 V V(BR)EBO IEB=1mA 4.0 V

Другие транзисторы: MJW21192, MJW21193G, MJW21194G, MJW21195G, MJW21196G, MJW3281AG, 3CD010, 3CD020, BC327, 3CD050, 3CD075, 3CD1, 3CD100, 3CD1010, 3CD102, 3CD103, 3CD1094