Биполярный транзистор 2N835-51 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

   Наименование производителя: 2N835-51
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 25 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 300 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 20
   Корпус транзистора: TO51

Другие транзисторы... 2N829 , 2N83 , 2N834 , 2N834-46 , 2N834-51 , 2N834A , 2N835 , 2N835-46 , BD777 , 2N837 , 2N838 , 2N839 , 2N83A , 2N84 , 2N840 , 2N841 , 2N841-46 .