2N835-51 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2N835-51

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 25 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 300 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 20

Корпус транзистора: TO51

 Аналоги (замена) для 2N835-51

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2N835-51 даташит

Спецификации не найдено!

Другие транзисторы: 2N829, 2N83, 2N834, 2N834-46, 2N834-51, 2N834A, 2N835, 2N835-46, BD335, 2N837, 2N838, 2N839, 2N83A, 2N84, 2N840, 2N841, 2N841-46