3CD42. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 3CD42

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 100 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 25

Корпус транзистора: TO257

 Аналоги (замена) для 3CD42

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

3CD42 даташит

 ..1. Size:146K  china
 3cd42.pdf pdf_icon

3CD42

3CD42(TIP42) PNP A B C D E F PCM TC=25 100 W ICM 10 A Tjm 150 Tstg -55 150 VCE=10V Rth 1.25 /W IC=3A V(BR)CBO ICB=5mA 30 50 80 120 150 200 V V(BR)CEO ICE=5mA 30 50 80 120 150 200 V V(BR)EBO IEB=5mA 5.0 V ICBO VCB=20V 1.0 mA

Другие транзисторы: 3CD150, 3CD205, 3CD3, 3CD32, 3CD32A, 3CD32B, 3CD32C, 3CD4, 2SC2625, 3CD438, 3CD4399, 3CD5, 3CD6, 3CD6109, 3CD6124, 3CD6125, 3CD6126