3CD4399. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 3CD4399

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 200 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 30 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 25

Корпус транзистора: TO3

 Аналоги (замена) для 3CD4399

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

3CD4399 даташит

 ..1. Size:119K  china
 3cd4399.pdf pdf_icon

3CD4399

3CD4399 PNP PCM TC=25 200 W ICM 30 A IB 7.5 A Tjm 175 Tstg -55 150 VCE=10V Rth 0.5 /W IC=5A V(BR)CBO ICB=2mA 60 V V(BR)CEO ICE=2mA 60 V V(BR)EBO IEB=2mA 5.0 V ICBO VCB=20V 2.0 mA ICEO VCE=20V 2.0 mA IEBO VEB=4V 2.0 mA VBEsa

 9.1. Size:125K  china
 3cd438.pdf pdf_icon

3CD4399

3CD438 PNP PCM 1.25 W ICM 4 A Tjm 175 Tstg -55 150 V(BR)CBO ICB=1mA 45 V V(BR)CEO ICE=10mA 45 V V(BR)EBO IEB=1mA 5.0 V ICBO VCB=45V 0.1 mA ICEO VCE=45V 0.1 mA IEBO VEB=5.0V 1.0 mA IC=2.0A VCEsat 0.6 V IB=0.2A VCE=5.0V hFE

Другие транзисторы: 3CD3, 3CD32, 3CD32A, 3CD32B, 3CD32C, 3CD4, 3CD42, 3CD438, 8550, 3CD5, 3CD6, 3CD6109, 3CD6124, 3CD6125, 3CD6126, 3CD8, 3CD834