3CD5. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 3CD5

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 10

Корпус транзистора: TO257

 Аналоги (замена) для 3CD5

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

3CD5 даташит

 ..1. Size:146K  china
 3cd5.pdf pdf_icon

3CD5

3CD5(3CF5) PNP A B C D E F G PCM TC=75 50 W ICM 5 A Tjm 175 Tstg -55 150 VCE=10V Rth 2 /W IC=1.5A V(BR)CBO ICB=5mA 80 150 200 250 350 450 600 V V(BR)CEO ICE=5mA 50 110 150 200 250 300 400 V V(BR)EBO IEB=1mA 4.0 V ICBO VC

Другие транзисторы: 3CD32, 3CD32A, 3CD32B, 3CD32C, 3CD4, 3CD42, 3CD438, 3CD4399, 9014, 3CD6, 3CD6109, 3CD6124, 3CD6125, 3CD6126, 3CD8, 3CD834, 3CD837