3CG1020. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 3CG1020

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.9 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 40 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 70

Корпус транзистора: TO92L

 Аналоги (замена) для 3CG1020

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

3CG1020 даташит

 ..1. Size:115K  china
3cg1020.pdfpdf_icon

3CG1020

 8.1. Size:24K  shaanxi
3cg102.pdfpdf_icon

3CG1020

Shaanxi Qunli Electric Co., Ltd Add. No. 1 Qunli Road,Baoji City,Shaanxi,China 3CG102 PNP Silicon High Frequency Low Power Transistor Features 1. Using epitaxy planar technology structure. High working frequency. Metallic packaging. 2. Small volume, light weight, easy installation. 3. Use for high frequency oscillation, high frequency small signal amplification, low power source a

 9.1. Size:118K  china
3cg1013.pdfpdf_icon

3CG1020

3CG1013 PNP PCM TA=25 0.9 W ICM 1 A Tjm 175 Tstg -55 150 V(BR)CBO ICB=0.1mA 160 V V(BR)CEO ICE=0.1mA 160 V V(BR)EBO IEB=0.1mA 6.0 V ICBO VCB=30V 1.0 A ICEO VCE=30V 1.0 A IEBO VEB=5V 0.5 A VBEsat 1.5 IC=500mA V IB=50mA

 9.2. Size:238K  lzg
3cg1015.pdfpdf_icon

3CG1020

2SA1015(3CG1015) PNP /SILICON PNP TRANSISTOR , /Purpose Audio frequency general purpose, driver stage amplifier applications. , , h , , 2SC1815(3DG1815) FE Features High voltage and high current, excellent h linearity, low noise, FE complementary p

Другие транзисторы: 3CF5, 3CG1, 3CG1013, 3CG1013T, 3CG1015, 3CG1015M, 3CG1018, 3CG102, 2SA1015, 3CG1030, 3CG1030A, 3CG1036K, 3CG1037AK, 3CG1048, 3CG1091, 3CG110, 3CG111