3CG1030. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 3CG1030

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 6 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 85

Корпус транзистора: TO92S

 Аналоги (замена) для 3CG1030

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

3CG1030 даташит

 ..1. Size:247K  lzg
 3cg1030.pdf pdf_icon

3CG1030

2SB1030(3CG1030) 2SB1030A(3CG1030A) PNP /SILICON PNP TRANSISTOR , 2SD1423(3DG1423)/2SD1423A(3DG1423A) Purpose Low frequency power amplifier, complementary to 2SD1423(3DG1423)/2SD1423A(3DG1423A). Features Optimum for high-density mounting. /Absolute Maximum Ratin

 0.1. Size:247K  lzg
 3cg1030a.pdf pdf_icon

3CG1030

2SB1030(3CG1030) 2SB1030A(3CG1030A) PNP /SILICON PNP TRANSISTOR , 2SD1423(3DG1423)/2SD1423A(3DG1423A) Purpose Low frequency power amplifier, complementary to 2SD1423(3DG1423)/2SD1423A(3DG1423A). Features Optimum for high-density mounting. /Absolute Maximum Ratin

 8.1. Size:288K  lzg
 3cg1037ak.pdf pdf_icon

3CG1030

2SA1037AK(3CG1037AK) PNP /SILICON PNP TRANSISTOR /Purpose General amplifier applications. , 2SC2412K(3DG2412K) /Features Excellent h linearity, FE Complementary pair with 2SC2412K(3DG2412K). /Absolute maximum ratings(Ta=25 ) Symbol Rating Unit V -60 V C

 8.2. Size:873K  lzg
 3cg1036k.pdf pdf_icon

3CG1030

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 3CG1, 3CG1013, 3CG1013T, 3CG1015, 3CG1015M, 3CG1018, 3CG102, 3CG1020, BC556, 3CG1030A, 3CG1036K, 3CG1037AK, 3CG1048, 3CG1091, 3CG110, 3CG111, 3CG112