Справочник транзисторов. 3CG1201

 

Биполярный транзистор 3CG1201 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: 3CG1201
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 120 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 120 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.8 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 120 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 30 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 80
   Корпус транзистора: SOT89
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

3CG1201 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:317K  lzg
3cg1201.pdfpdf_icon

3CG1201

2SA1201(3CG1201) PNP /SILICON PNP TRANSISTOR : Purpose: power amplifier applications. ,, 2SC2881(3DG2881) Features: High f , high V , small flat package, complementary pair with 2SC2881(3DG2881). T CEO/Absolute maximum ratings(Ta=25)

 8.1. Size:263K  lzg
3cg1203.pdfpdf_icon

3CG1201

2SA1203(3CG1203) PNP /SILICON PNP TRANSISTOR : Purpose: Audio frequency amplifier applications. 3W 2SC28833DG2883 Features: Suitable for output stage of 3 watts amplifier, small flat package, complementary to 2SC2883(3DG2883). /Absolute maximum ratings(Ta=2

 8.2. Size:30K  shaanxi
3cg120.pdfpdf_icon

3CG1201

Shaanxi Qunli Electric Co., Ltd Add.:No. 1 Qunli Road,Baoji City,Shaanxi,China 3CG120,3CG130 PNP Silicon High Frequency Middle Power Transistor Features: 1. Using epitaxy planar technology structure. High working frequency. Metallic packaging. 2. Small volume, light weight, easy installation. 3. Use for high frequency oscillation, high frequency small signal amplification, low power

 9.1. Size:115K  china
3cg12.pdfpdf_icon

3CG1201

3CG12 PNP A B C D E F G H I PCM TA=25 500 mW ICM 50 mA Tjm 175 Tstg -55~150 V(BR)CBO ICB=0.1mA 20 50 80 20 40 70 15 40 60 V V(BR)CEO ICE=0.1mA 15 40 70 15 30 60 12 30 50 V V(BR)EBO IEB=0.1mA 4.0 V ICBO VCB=10V

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

History: PN4142 | SGSIF444 | 2SC3970A | MSB1218A-RT1G | C6084 | S8550J

 

 
Back to Top

 


 
.