3CG1201. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 3CG1201

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 120 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 120 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.8 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 120 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 30 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 80

Корпус транзистора: SOT89

 Аналоги (замена) для 3CG1201

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

3CG1201 даташит

 ..1. Size:317K  lzg
 3cg1201.pdf pdf_icon

3CG1201

 8.1. Size:263K  lzg
 3cg1203.pdf pdf_icon

3CG1201

2SA1203(3CG1203) PNP /SILICON PNP TRANSISTOR Purpose Audio frequency amplifier applications. 3W 2SC2883 3DG2883 Features Suitable for output stage of 3 watts amplifier, small flat package, complementary to 2SC2883(3DG2883). /Absolute maximum ratings(Ta=2

 8.2. Size:30K  shaanxi
 3cg120.pdf pdf_icon

3CG1201

Shaanxi Qunli Electric Co., Ltd Add. No. 1 Qunli Road,Baoji City,Shaanxi,China 3CG120,3CG130 PNP Silicon High Frequency Middle Power Transistor Features 1. Using epitaxy planar technology structure. High working frequency. Metallic packaging. 2. Small volume, light weight, easy installation. 3. Use for high frequency oscillation, high frequency small signal amplification, low power

 9.1. Size:115K  china
 3cg12.pdf pdf_icon

3CG1201

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 3CG1175, 3CG1182, 3CG1188, 3CG1189, 3CG1197K, 3CG1198K, 3CG12, 3CG12, 2SC5200, 3CG1203, 3CG1213, 3CG1218A, 3CG1260, 3CG1283, 3CG1295, 3CG130, 3CG1300