3CG1260. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 3CG1260

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 25 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 82

Корпус транзистора: SOT89

 Аналоги (замена) для 3CG1260

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

3CG1260 даташит

 ..1. Size:178K  lzg
 3cg1260.pdf pdf_icon

3CG1260

 9.1. Size:115K  china
 3cg12.pdf pdf_icon

3CG1260

 9.2. Size:317K  lzg
 3cg1201.pdf pdf_icon

3CG1260

 9.3. Size:235K  lzg
 3cg1283.pdf pdf_icon

3CG1260

2SA1283(3CG1283) PNP /SILICON PNP TRANSISTOR Purpose General purpose amplifier. /Absolute maximum ratings(Ta=25 ) Symbol Rating Unit V -60 V CBO V -60 V CEO V -6.0 V EBO I -1.0 A C P 0.9 W C T 150 j T -55 150 stg /Electrical charact

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 3CG1197K, 3CG1198K, 3CG12, 3CG12, 3CG1201, 3CG1203, 3CG1213, 3CG1218A, 2N2222, 3CG1283, 3CG1295, 3CG130, 3CG1300, 3CG131, 3CG1316, 3CG1317, 3CG1320