3CG1365. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 3CG1365

Маркировка: HAE_HAF_HAG

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 25 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.7 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 180 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 150

Корпус транзистора: SOT23

 Аналоги (замена) для 3CG1365

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

3CG1365 даташит

 ..1. Size:324K  lzg
 3cg1365.pdf pdf_icon

3CG1365

2SA1365(3CG1365) PNP /SILICON PNP TRANSISTOR Purpose Small type motor drive, relay drive, power supply. Features Low collector to emitter saturation voltage, excellent linearity of DC forward curren

 9.1. Size:125K  china
 3cg130.pdf pdf_icon

3CG1365

3CG130 PNP A B C D E F G PCM 700 mW ICM 300 mA Tjm 175 Tstg -55 150 V(BR)CBO ICB=0.1mA 20 35 50 65 80 95 110 V V(BR)CEO ICE=0.1mA 15 30 45 60 75 90 105 V V(BR)EBO IEB=0.1mA 4.0 V ICBO VCB=10V 0.5 A ICEO VCE=10V 1

 9.2. Size:121K  china
 3cg131.pdf pdf_icon

3CG1365

3CG131 PNP A B C D E PCM Tc=75 700 mW ICM 300 mA Tjm 175 Tstg -55 150 V(BR)CBO ICB=0.1mA 15 30 45 60 75 V V(BR)CEO ICE=0.1mA 15 30 45 60 75 V V(BR)EBO IEB=0.1mA 4.0 V ICBO VCB=10V 0.5 A ICEO VCE=10V 1.0 A IEBO VE

 9.3. Size:182K  lzg
 3cg1316.pdf pdf_icon

3CG1365

2SA1316(3CG1316) PNP /SILICON PNP TRANSISTOR Purpose Low noise audio amplifier applications. , , 2SC3329(3DG3329) Features Low rbb , low noise figure, complementary pair with 2SC3329(3DG3329). /Absolute maximum ratings(Ta=25 )

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 3CG1283, 3CG1295, 3CG130, 3CG1300, 3CG131, 3CG1316, 3CG1317, 3CG1320, BC337, 3CG1376, 3CG1386, 3CG1424, 3CG1426, 3CG1440, 3CG1576A, 3CG1577W, 3CG1585S