3CG160. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 3CG160

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.02 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 50 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 25

Корпус транзистора: TO18

 Аналоги (замена) для 3CG160

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

3CG160 даташит

 ..1. Size:31K  shaanxi
 3cg160.pdf pdf_icon

3CG160

Shaanxi Qunli Electric Co., Ltd Add. No. 1 Qunli Road,Baoji City,Shaanxi,China 3CG160,3CG170 PNP Silicon High Frequency Middle Power Transistor Features 1. Using epitaxy planar technology structure. High working frequency. Metallic packaging. 2. Small volume, light weight, easy installation. 3. Use for high frequency oscillation, high frequency small signal amplification, low power

 9.1. Size:230K  lzg
 3cg1621.pdf pdf_icon

3CG160

2SA1621(3CG1621) PNP /SILICON PNP TRANSISTOR . Purpose Audio power amplifier application . , 2SC4210(3DG4210) Features High hFE,complementary pair with 2SC4210(3DG4210). /Absolute maximum ratings(Ta=25 ) Symbol Rating Unit V -35 V CBO V -30 V C

Другие транзисторы: 3CG1386, 3CG1424, 3CG1426, 3CG1440, 3CG1576A, 3CG1577W, 3CG1585S, 3CG1590K, TIP42C, 3CG1621, 3CG170, 3CG1700, 3CG1797, 3CG17B, 3CG180, 3CG182, 3CG1955