3CG170. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 3CG170

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 25

Корпус транзистора: TO18

 Аналоги (замена) для 3CG170

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

3CG170 даташит

 ..1. Size:98K  china
 3cg170.pdf pdf_icon

3CG170

LJ2015-37 3CG170 PNP A B C D E P Ta=25 500 mW CM I 50 mA CM T 175 jm T -55 150 stg V I =0.1mA 80 120 160 200 240 V (BR)CBO CB V I =0.1mA 60 100 140 180 200 V (BR)CEO CE V I =0.1mA 4.0 V (BR)EBO EB I V =3

 0.1. Size:261K  lzg
 3cg1700.pdf pdf_icon

3CG170

2SA1700(3CG1700) PNP /SILICON PNP TRANSISTOR Purpose High voltage driver applications. MBIT Features High breakdown voltage, adoption of MBIT process excellent hFE linearity. /Absolute maximum ratings(Ta=25 )

 9.1. Size:121K  china
 3cg17b.pdf pdf_icon

3CG170

3CG17B PNP PCM TA=25 150 mW ICM 20 mA Tjm 175 Tstg -55 150 V(BR)CEO ICE=0.1mA 12 V V(BR)EBO IEB=0.1mA 4.0 V ICEO VCE=6V 0.2 A IC=10mA VCEsat 0.5 V IB=1mA VCE=6V hFE 30 IC=2mA VCE=5V fT IC=5mA 100 MHz fo=3

 9.2. Size:284K  lzg
 3cg1797.pdf pdf_icon

3CG170

2SA1797(3CG1797) PNP /SILICON PNP TRANSISTOR , , 2SC4672(3DG4672) Features Low saturation voltage, excellent DC current gain characteristics, complements the 2SC4672(3DG4672). /Absolute maximum ratings(Ta=25 ) Symbol Rating Unit V -50 V CBO V -50 V

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 3CG1426, 3CG1440, 3CG1576A, 3CG1577W, 3CG1585S, 3CG1590K, 3CG160, 3CG1621, 2N3906, 3CG1700, 3CG1797, 3CG17B, 3CG180, 3CG182, 3CG1955, 3CG1979S, 3CG1980