Справочник транзисторов. 3CG2048

 

Биполярный транзистор 3CG2048 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: 3CG2048
   Маркировка: HULQ_HULR
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 350 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 10 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 120
   Корпус транзистора: SOT23
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

3CG2048 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:176K  lzg
 3cg2048.pdf pdf_icon

3CG2048

2SA2048(3CG2048) PNP /SILICON PNP RANSISTOR :, Purpose: Small signal low frequency amplifier, high speed switching. 2SC5730(3DG5730) Features: High speed switching, low saturation voltage, complements the 2SC5730(3DG5730). /Absolute maximum ratings(Ta=2

 9.1. Size:113K  china
 3cg201.pdf pdf_icon

3CG2048

3CG201 PNP A B C D PCM TA=25 1 W ICM 1 A Tjm 175 Tstg -55~150 V(BR)CEO ICE=0.1mA 60 100 140 180 V V(BR)EBO IEB=0.1mA 4.0 V ICEO VCE=30V 1.0 A IC=500mA VCEsat 0.5 V IB=50mA VCE=5V hFE 25~270 IC=200mA VCE=10V

 9.2. Size:124K  china
 3cg200.pdf pdf_icon

3CG2048

3CG200 PNP A B C D E F G PCM 700 mW ICM 200 mA Tjm 175 Tstg -55~150 V(BR)CBO ICB=0.05mA 20 30 40 50 60 70 80 V V(BR)CEO ICE=0.05mA 15 20 30 40 50 60 70 V V(BR)EBO IEB=0.05mA 4.0 V ICBO VCB=10V 0.2 A ICEO VCE=10V

Другие транзисторы... HA9079 , HA9500 , HA9501 , HA9502 , HA9531 , HA9531A , HA9532 , HA9532A , D667 , HCT2907A , HCT2907M , HDA412 , HDA420 , HDA496 , HEP637 , HEPG0001 , HEPG0002 .

History: BC547ATA | TTD1409B | CD9011H | BD545 | SD451 | UMB6N | UMB11N

 

 
Back to Top

 


 
.