3CG2048. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 3CG2048

Маркировка: HULQ_HULR

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 350 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 10 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 120

Корпус транзистора: SOT23

 Аналоги (замена) для 3CG2048

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

3CG2048 даташит

 ..1. Size:176K  lzg
 3cg2048.pdf pdf_icon

3CG2048

2SA2048(3CG2048) PNP /SILICON PNP RANSISTOR , Purpose Small signal low frequency amplifier, high speed switching. 2SC5730(3DG5730) Features High speed switching, low saturation voltage, complements the 2SC5730(3DG5730). /Absolute maximum ratings(Ta=2

 9.1. Size:113K  china
 3cg201.pdf pdf_icon

3CG2048

3CG201 PNP A B C D PCM TA=25 1 W ICM 1 A Tjm 175 Tstg -55 150 V(BR)CEO ICE=0.1mA 60 100 140 180 V V(BR)EBO IEB=0.1mA 4.0 V ICEO VCE=30V 1.0 A IC=500mA VCEsat 0.5 V IB=50mA VCE=5V hFE 25 270 IC=200mA VCE=10V

 9.2. Size:124K  china
 3cg200.pdf pdf_icon

3CG2048

3CG200 PNP A B C D E F G PCM 700 mW ICM 200 mA Tjm 175 Tstg -55 150 V(BR)CBO ICB=0.05mA 20 30 40 50 60 70 80 V V(BR)CEO ICE=0.05mA 15 20 30 40 50 60 70 V V(BR)EBO IEB=0.05mA 4.0 V ICBO VCB=10V 0.2 A ICEO VCE=10V

Другие транзисторы: 3CG1979S, 3CG1980, 3CG1980M, 3CG1981, 3CG1981M, 3CG2, 3CG200, 3CG201, BD335, 3CG21, 3CG22, 3CG23, 3CG2905, 3CG2907, 3CG2907A, 3CG298, 3CG3