3CG23. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 3CG23

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.7 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 15 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.15 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 60 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 25

Корпус транзистора: TO18

 Аналоги (замена) для 3CG23

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

3CG23 даташит

 ..1. Size:123K  china
 3cg23.pdf pdf_icon

3CG23

3CG23 PNP A B C D E F G PCM 700 mW ICM 150 mA Tjm 175 Tstg -55 150 V(BR)CBO ICB=0.1mA 20 30 45 60 75 90 105 V V(BR)CEO ICE=0.1mA 15 25 40 55 70 85 100 V V(BR)EBO IEB=0.1mA 4.0 V ICBO VCB=10V 0.5 A ICEO VCE=10V 1.

Другие транзисторы: 3CG1981, 3CG1981M, 3CG2, 3CG200, 3CG201, 3CG2048, 3CG21, 3CG22, 2SA1837, 3CG2905, 3CG2907, 3CG2907A, 3CG298, 3CG3, 3CG3906, 3CG4126, 3CG4403