3CG562TM. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 3CG562TM

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 35 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 13 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 70

Корпус транзистора: TO92

 Аналоги (замена) для 3CG562TM

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

3CG562TM даташит

 ..1. Size:193K  lzg
 3cg562tm.pdf pdf_icon

3CG562TM

2SA562TM(3CG562TM) PNP /SILICON PNP TRANSISTOR Purpose Audio frequency low power amplifier, driver stage amplifier, switching applications. h ,1W , 2SC1959(3DG1959) FE Features Excellent h linearity,1 watt amplifier application, complementary pair with

 8.1. Size:255K  china
 3cg562.pdf pdf_icon

3CG562TM

 8.2. Size:258K  lzg
 3cg562m.pdf pdf_icon

3CG562TM

2SA562M(3CG562M) PNP /SILICON PNP TRANSISTOR Purpose Audio frequency low power amplifier, driver stage amplifier, switching applications. h , 2SC1959M(3DG1959M) FE Features Excellent h linearity, complementary pair with 2SC1959M(3DG1959M). FE

 9.1. Size:129K  china
 3cg56.pdf pdf_icon

3CG562TM

3CG56 PNP TO-92 SOT-23 SOT-223 PCM TA=25 mW 625 350 1000 Rj-a TA>25 5.0 2.8 8.0 mW/ ICM 0.5 mA Tjm 150 Tstg -55 150 V(BR)CBO ICB=0.1mA 80 V V(BR)CEO ICE=1mA 80 V ICBO IEB=0.1mA 4 A ICEO VCB=80V 0.1 A IEBO VCE=60V 0.1 A

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 3CG5, 3CG5087, 3CG5415, 3CG56, 3CG560, 3CG561, 3CG562, 3CG562M, A1013, 3CG5T3Z, 3CG6, 3CG608, 3CG608K, 3CG624, 3CG636, 3CG640, 3CG6517