3CG608. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 3CG608

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.4 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 180 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 7 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 60

Корпус транзистора: TO92

 Аналоги (замена) для 3CG608

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

3CG608 даташит

 ..1. Size:263K  lzg
 3cg608.pdf pdf_icon

3CG608

2SA608(3CG608) 2SA608K(3CG608K) PNP /SILICON PNP TRANSISTOR Purpose General- purpose AMP, switching applications. /Absolute maximum ratings(Ta=25 ) Symbol Rating Unit 2SA608 -40 V CBO V 2SA608K -55 2SA608 -30 V V CEO 2SA608K -50 V EBO -5.0 V I -100 mA C

 0.1. Size:263K  lzg
 3cg608k.pdf pdf_icon

3CG608

2SA608(3CG608) 2SA608K(3CG608K) PNP /SILICON PNP TRANSISTOR Purpose General- purpose AMP, switching applications. /Absolute maximum ratings(Ta=25 ) Symbol Rating Unit 2SA608 -40 V CBO V 2SA608K -55 2SA608 -30 V V CEO 2SA608K -50 V EBO -5.0 V I -100 mA C

Другие транзисторы: 3CG56, 3CG560, 3CG561, 3CG562, 3CG562M, 3CG562TM, 3CG5T3Z, 3CG6, 2SC2655, 3CG608K, 3CG624, 3CG636, 3CG640, 3CG6517, 3CG673, 3CG673A, 3CG698