3CG608 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 3CG608
Material: Si
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.4 W
Tensión colector-base (Vcb): 40 V
Tensión colector-emisor (Vce): 30 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 180 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 7 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 60
Paquete / Cubierta: TO92
Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar 3CG608
3CG608 Datasheet (PDF)
3cg608.pdf
2SA608(3CG608) 2SA608K(3CG608K) PNP /SILICON PNP TRANSISTOR : Purpose: General- purpose AMP, switching applications. /Absolute maximum ratings(Ta=25) Symbol Rating Unit 2SA608 -40 VCBO V 2SA608K -55 2SA608 -30 V V CEO 2SA608K -50 VEBO -5.0 V I -100 mA C
3cg608k.pdf
2SA608(3CG608) 2SA608K(3CG608K) PNP /SILICON PNP TRANSISTOR : Purpose: General- purpose AMP, switching applications. /Absolute maximum ratings(Ta=25) Symbol Rating Unit 2SA608 -40 VCBO V 2SA608K -55 2SA608 -30 V V CEO 2SA608K -50 VEBO -5.0 V I -100 mA C
Otros transistores... 2SA1771 , 2SA178 , 2SA1790 , 2SA1791 , 2SA1792 , 2SA1793 , 2SA1794 , 2SA1795 , 2N3906 , 2SA1799 , 2SA17H , 2SA18 , 2SA180 , 2SA1800 , 2SA1800O , 2SA1800R , 2SA1800Y .
History: 3DD13003_W6D
History: 3DD13003_W6D
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050