3CG608 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 3CG608
Material: Si
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.4 W
Tensión colector-base (Vcb): 40 V
Tensión colector-emisor (Vce): 30 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 180 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 7 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 60
Paquete / Cubierta: TO92
Búsqueda de reemplazo de 3CG608
3CG608 Datasheet (PDF)
3cg608.pdf
2SA608(3CG608) 2SA608K(3CG608K) PNP /SILICON PNP TRANSISTOR : Purpose: General- purpose AMP, switching applications. /Absolute maximum ratings(Ta=25) Symbol Rating Unit 2SA608 -40 VCBO V 2SA608K -55 2SA608 -30 V V CEO 2SA608K -50 VEBO -5.0 V I -100 mA C
3cg608k.pdf
2SA608(3CG608) 2SA608K(3CG608K) PNP /SILICON PNP TRANSISTOR : Purpose: General- purpose AMP, switching applications. /Absolute maximum ratings(Ta=25) Symbol Rating Unit 2SA608 -40 VCBO V 2SA608K -55 2SA608 -30 V V CEO 2SA608K -50 VEBO -5.0 V I -100 mA C
Otros transistores... 3CG56 , 3CG560 , 3CG561 , 3CG562 , 3CG562M , 3CG562TM , 3CG5T3Z , 3CG6 , 8550 , 3CG608K , 3CG624 , 3CG636 , 3CG640 , 3CG6517 , 3CG673 , 3CG673A , 3CG698 .
History: 2N2616 | DDTB123TU
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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