3CG640. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 3CG640

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 25

Корпус транзистора: TO18

 Аналоги (замена) для 3CG640

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

3CG640 даташит

 ..1. Size:30K  shaanxi
 3cg640.pdf pdf_icon

3CG640

Shaanxi Qunli Electric Co., Ltd Add. No. 1 Qunli Road,Baoji City,Shaanxi,China 3CG640, 3CG708 PNP Silicon High Frequency Middle Power Transistor Features 1. Using epitaxy planar technology structure. High working frequency. Metallic packaging. 2. Small volume, light weight, easy installation. 3. Use for high frequency oscillation, high frequency small signal amplification, low powe

Другие транзисторы: 3CG562M, 3CG562TM, 3CG5T3Z, 3CG6, 3CG608, 3CG608K, 3CG624, 3CG636, 2N4401, 3CG6517, 3CG673, 3CG673A, 3CG698, 3CG708, 3CG709A, 3CG715, 3CG715F