3CG6517. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 3CG6517

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.625 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 350 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 350 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 40 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 6 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 30

Корпус транзистора: TO92

 Аналоги (замена) для 3CG6517

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

3CG6517 даташит

 ..1. Size:258K  lzg
 3cg6517.pdf pdf_icon

3CG6517

2N6517(3CG6517) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR /Purpose High voltage application. /Absolute maximum ratings(Ta=25 ) Symbol Rating Unit V 350 V CBO V 350 V CEO V 6.0 V EBO I 500 mA C P 625 mW C T 150 j T -55 150 stg /Electrical characteristics(Ta=

 0.1. Size:264K  foshan
 2n6517m 3cg6517m.pdf pdf_icon

3CG6517

2N6517M(3CG6517M) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR /Purpose High voltage application. /Absolute maximum ratings(Ta=25 ) Symbol Rating Unit V 350 V CBO V 350 V CEO V 6.0 V EBO I 500 mA C P 300 mW C T 150 j T -55 150 stg /Electrical characteristics(T

Другие транзисторы: 3CG562TM, 3CG5T3Z, 3CG6, 3CG608, 3CG608K, 3CG624, 3CG636, 3CG640, 2222A, 3CG673, 3CG673A, 3CG698, 3CG708, 3CG709A, 3CG715, 3CG715F, 3CG719