3CG708. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 3CG708

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.8 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 8 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.6 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 25

Корпус транзистора: TO18

 Аналоги (замена) для 3CG708

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

3CG708 даташит

 ..1. Size:23K  shaanxi
 3cg708.pdf pdf_icon

3CG708

Shaanxi Qunli Electric Co., Ltd Add. No. 1 Qunli Road,Baoji City,Shaanxi,China 3CG708 PNP Silicon High Frequency Middle Power Transistor Features 1. Using epitaxy planar technology structure. High working frequency. Metallic packaging. 2. Small volume, light weight, easy installation. 3. Use for high frequency oscillation, high frequency small signal amplification, low power source

 9.1. Size:341K  lzg
 3cg709a.pdf pdf_icon

3CG708

2SB709A(3CG709A) PNP /SILICON PNP TRANSISTOR /Purpose General power amplifier applications. 2SD601A(3DG601A) /Features Complementary pair with 2SD601A(3DG601A). /Absolute maximum ratings(Ta=25 ) Symbol Rating Unit V -45 V CBO V -45 V CEO V -7.0 V EBO I -100 mA

Другие транзисторы: 3CG608K, 3CG624, 3CG636, 3CG640, 3CG6517, 3CG673, 3CG673A, 3CG698, 2SD669A, 3CG709A, 3CG715, 3CG715F, 3CG719, 3CG720, 3CG733, 3CG733M, 3CG739