Справочник транзисторов. 3CG739

 

Биполярный транзистор 3CG739 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: 3CG739
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.9 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 50 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
   Корпус транзистора: TO92LM
 

 Аналог (замена) для 3CG739

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

3CG739 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:252K  lzg
 3cg739.pdf pdf_icon

3CG739

2SB739(3CG739) PNP /SILICON PNP TRANSISTOR : Purpose: Low frequency power amplifier. : 2SD788(3DG788) Features: Complementary pair with 2SD788(3DG788). /Absolute maximum ratings(Ta=25) Symbol Rating Unit V -20 V CBO V -20 V CEO V -6.0 V EBO I -2.0 A C

 9.1. Size:258K  lzg
 3cg733.pdf pdf_icon

3CG739

2SA733(3CG733) PNP /SILICON PNP TRANSISTOR :/Purpose: Driver stage of AF power amplifier. :h /Features: High h and excellent h linearity. FEFE FE /Absolute Maximum Ratings(Ta=25) Symbol Rating Unit V -60 V CBO V -50 V CEO V -5.0 V EBO I -150 mA

 9.2. Size:345K  lzg
 3cg733m.pdf pdf_icon

3CG739

2SA733M(3CG733M) PNP /SILICON PNP TRANSISTOR :/Purpose: Driver stage of AF power amplifier. :h /Features: High h and excellent h linearity. FE FEFE/Absolute Maximum Ratings(Ta=25) Symbol Rating Unit V -60 V CBO V -50 V CEO V -5.0 V EBO I -

Другие транзисторы... 3CG708 , 3CG709A , 3CG715 , 3CG715F , 3CG719 , 3CG720 , 3CG733 , 3CG733M , 2SC828 , 3CG743 , 3CG743A , 3CG764 , 3CG774 , 3CG778 , 3CG778A , 3CG790A , 3CG798 .

History: HE9015 | BUS131A | BLY93C | 2N1073A

 

 
Back to Top

 


 
.