Биполярный транзистор 3CG807-16 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 3CG807-16
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.31 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
Корпус транзистора: SOT23
Аналоги (замена) для 3CG807-16
3CG807-16 Datasheet (PDF)
..1. Size:114K china
3cg807-16.pdf
3cg807-16.pdf
3CG807-16(BC807-16) PNP PCM TA=25 310 mW Tjm 175 Tstg -55~150 V(BR)CEO ICE=0.1mA 45 V V(BR)EBO IEB=0.1mA 5 V ICEO VCE=45V 0.1 A IEBO VEB=4V 0.1 A IC=500mA VCEsat 0.7 V IB=50mA VCE=1.0V hFE 100 IC=100m A VCE=5V
Другие транзисторы... HA9079 , HA9500 , HA9501 , HA9502 , HA9531 , HA9531A , HA9532 , HA9532A , 2222A , HCT2907A , HCT2907M , HDA412 , HDA420 , HDA496 , HEP637 , HEPG0001 , HEPG0002 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050