3CG807-16. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 3CG807-16

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.31 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: SOT23

 Аналоги (замена) для 3CG807-16

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

3CG807-16 даташит

 ..1. Size:114K  china
 3cg807-16.pdf pdf_icon

3CG807-16

3CG807-16(BC807-16) PNP PCM TA=25 310 mW Tjm 175 Tstg -55 150 V(BR)CEO ICE=0.1mA 45 V V(BR)EBO IEB=0.1mA 5 V ICEO VCE=45V 0.1 A IEBO VEB=4V 0.1 A IC=500mA VCEsat 0.7 V IB=50mA VCE=1.0V hFE 100 IC=100m A VCE=5V

Другие транзисторы: 3CG743, 3CG743A, 3CG764, 3CG774, 3CG778, 3CG778A, 3CG790A, 3CG798, MJE350, 3CG812, 3CG817A, 3CG838, 3CG844, 3CG854S, 3CG8550, 3CG8550A, 3CG8551