3CG8551. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 3CG8551

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.75 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: TO92L

 Аналоги (замена) для 3CG8551

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

3CG8551 даташит

 ..1. Size:109K  jiangsu
 3cg8551.pdf pdf_icon

3CG8551

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD TO-92L Plastic-Encapsulate Transistors TO 92L 3CG8551 TRANSISTOR (PNP) 1. EMITTER 2. COLLECTOR FEATURES General Purpose Switching Application 3. BASE Complementary to 3DG8051 MAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Unit VCBO Collector-Base Voltage -50 V VCEO Collector-Emitter Vo

 8.1. Size:553K  jilin sino
 3cg8550.pdf pdf_icon

3CG8551

 8.2. Size:184K  foshan
 3cg8550a.pdf pdf_icon

3CG8551

S8550A(3CG8550A) PNP /SILICON PNP TRANSISTOR Purpose Amplifier of portable radios in class B push-pull operation. P I , S8050A(3DG8050A) C C Features High P and I , complementary pair with S8050A(3DG8050A). C C /Absolute maximum ratings(Ta=25 ) Symbol Rati

 8.3. Size:136K  foshan
 3cg8550m s8550m.pdf pdf_icon

3CG8551

S8550M(3CG8550M) PNP /SILICON PNP TRANSISTOR /Purpose Power amplifier applications. S8050M(3DG8050M) /Features Complementary pair with S8050M(3DG8050M). /Absolute maximum ratings(Ta=25 ) Symbol Rating Unit V -40 V CBO V -25 V CEO V -6.0 V EBO I -800 mA

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 3CG807-16, 3CG812, 3CG817A, 3CG838, 3CG844, 3CG854S, 3CG8550, 3CG8550A, BDT88, 3CG857B, 3CG893, 3CG9, 3CG9012, 3CG926, 3CG937, 3CG950, 3CG952