3CG857B. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 3CG857B

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.25 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 220

Корпус транзистора: TO92 SOT23

 Аналоги (замена) для 3CG857B

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

3CG857B даташит

 ..1. Size:129K  china
 3cg857b.pdf pdf_icon

3CG857B

3CG857B(BC857B) PNP PCM TA=25 250 mW ICM 200 mA Tjm 150 Tstg -55 150 V(BR)CBO ICB=0.01mA 50 V V(BR)CEO ICE=10mA 45 V V(BR)EBO IEB=0.001mA 5.0 V ICBO VCB=30V 15.0 A IEBO VEB=5.0V 0.1 A VBEsat 850 IC=100mA V IB=5mA VCEsat

 9.1. Size:109K  jiangsu
 3cg8551.pdf pdf_icon

3CG857B

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD TO-92L Plastic-Encapsulate Transistors TO 92L 3CG8551 TRANSISTOR (PNP) 1. EMITTER 2. COLLECTOR FEATURES General Purpose Switching Application 3. BASE Complementary to 3DG8051 MAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Unit VCBO Collector-Base Voltage -50 V VCEO Collector-Emitter Vo

 9.2. Size:553K  jilin sino
 3cg8550.pdf pdf_icon

3CG857B

 9.3. Size:184K  foshan
 3cg8550a.pdf pdf_icon

3CG857B

S8550A(3CG8550A) PNP /SILICON PNP TRANSISTOR Purpose Amplifier of portable radios in class B push-pull operation. P I , S8050A(3DG8050A) C C Features High P and I , complementary pair with S8050A(3DG8050A). C C /Absolute maximum ratings(Ta=25 ) Symbol Rati

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 3CG812, 3CG817A, 3CG838, 3CG844, 3CG854S, 3CG8550, 3CG8550A, 3CG8551, BD222, 3CG893, 3CG9, 3CG9012, 3CG926, 3CG937, 3CG950, 3CG952, 3CG953