3CG937. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 3CG937

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 140 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 120

Корпус транзистора: TO92

 Аналоги (замена) для 3CG937

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

3CG937 даташит

 ..1. Size:366K  china
 3cg937.pdf pdf_icon

3CG937

2SA937(3CG937) PNP /SILICON PNP TRANSISTOR , , , , , Purpose General small-signal amplifier, preamplifiers, equalizer amplifiers, RF amplifiers and oscillators, medium-speed switching. 2SC2021(3DG2021) /Features Complementary pair with 2SC2021(3DG2021).

Другие транзисторы: 3CG8550, 3CG8550A, 3CG8551, 3CG857B, 3CG893, 3CG9, 3CG9012, 3CG926, 2N3904, 3CG950, 3CG952, 3CG953, 3CG953M, 3CG965, 3CG966, 3CG966T, 3CG970