Справочник транзисторов. 3CG965

 

Биполярный транзистор 3CG965 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: 3CG965
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.9 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 120 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 120 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.8 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 120 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 40 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 80
   Корпус транзистора: TO92LM
 

 Аналог (замена) для 3CG965

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

3CG965 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:213K  lzg
 3cg965.pdf pdf_icon

3CG965

2SA965(3CG965) PNP /SILICON PNP TRANSISTOR : Purpose: Power amplifier applications, driver stage amplifier applications. : 2SC2235(3DG2235) Features: Complementary pair with 2SC2235(3DG2235). /Absolute maximum ratings(Ta=25) Symbol Rating Unit V -120 V

 9.1. Size:230K  lzg
 3cg966.pdf pdf_icon

3CG965

2SA966(3CG966) PNP /SILICON PNP TRANSISTOR :/Purpose: AF power amplifier applications. : 2SC2236(3DG2236), 3W Features: Complementary to 2SC2236(3DG2236) and 3 Watts output applications. /Absolute maximum ratings(Ta=25) Symbol Rating Unit V -30 V CBO

 9.2. Size:471K  lzg
 3cg966t.pdf pdf_icon

3CG965

2SA966T(3CG966T) PNP /SILICON PNP TRANSISTOR :/Purpose: AF power amplifier applications. : 2SC2236T(3DG2236T) Features: Complementary to 2SC2236T(3DG2236T). /Absolute maximum ratings(Ta=25) Symbol Rating Unit V -30 V CBO V -30 V CEO V -5.0 V EBO I -1.5 A C

Другие транзисторы... 3CG9 , 3CG9012 , 3CG926 , 3CG937 , 3CG950 , 3CG952 , 3CG953 , 3CG953M , TIP41 , 3CG966 , 3CG966T , 3CG970 , 3CK005 , 3CK010 , 3CK05 , 3CK050 , 3CK10 .

History: MPSH10RLRPG | ZXTN25012EZ | 40954 | 2SA76 | HMJE13009A | 3CK050

 

 
Back to Top

 


 
.