Биполярный транзистор 3CG965 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 3CG965
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.9 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 120 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 120 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.8 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 120 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 40 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 80
Корпус транзистора: TO92LM
3CG965 Datasheet (PDF)
3cg965.pdf
2SA965(3CG965) PNP /SILICON PNP TRANSISTOR : Purpose: Power amplifier applications, driver stage amplifier applications. : 2SC2235(3DG2235) Features: Complementary pair with 2SC2235(3DG2235). /Absolute maximum ratings(Ta=25) Symbol Rating Unit V -120 V
3cg966.pdf
2SA966(3CG966) PNP /SILICON PNP TRANSISTOR :/Purpose: AF power amplifier applications. : 2SC2236(3DG2236), 3W Features: Complementary to 2SC2236(3DG2236) and 3 Watts output applications. /Absolute maximum ratings(Ta=25) Symbol Rating Unit V -30 V CBO
3cg966t.pdf
2SA966T(3CG966T) PNP /SILICON PNP TRANSISTOR :/Purpose: AF power amplifier applications. : 2SC2236T(3DG2236T) Features: Complementary to 2SC2236T(3DG2236T). /Absolute maximum ratings(Ta=25) Symbol Rating Unit V -30 V CBO V -30 V CEO V -5.0 V EBO I -1.5 A C
Другие транзисторы... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , 2SA1837 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .
History: 2N81
History: 2N81
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050