3CG965. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 3CG965

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.9 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 120 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 120 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.8 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 120 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 40 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 80

Корпус транзистора: TO92LM

 Аналоги (замена) для 3CG965

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

3CG965 даташит

 ..1. Size:213K  lzg
 3cg965.pdf pdf_icon

3CG965

2SA965(3CG965) PNP /SILICON PNP TRANSISTOR Purpose Power amplifier applications, driver stage amplifier applications. 2SC2235(3DG2235) Features Complementary pair with 2SC2235(3DG2235). /Absolute maximum ratings(Ta=25 ) Symbol Rating Unit V -120 V

 9.1. Size:230K  lzg
 3cg966.pdf pdf_icon

3CG965

2SA966(3CG966) PNP /SILICON PNP TRANSISTOR /Purpose AF power amplifier applications. 2SC2236(3DG2236) , 3W Features Complementary to 2SC2236(3DG2236) and 3 Watts output applications. /Absolute maximum ratings(Ta=25 ) Symbol Rating Unit V -30 V CBO

 9.2. Size:471K  lzg
 3cg966t.pdf pdf_icon

3CG965

2SA966T(3CG966T) PNP /SILICON PNP TRANSISTOR /Purpose AF power amplifier applications. 2SC2236T(3DG2236T) Features Complementary to 2SC2236T(3DG2236T). /Absolute maximum ratings(Ta=25 ) Symbol Rating Unit V -30 V CBO V -30 V CEO V -5.0 V EBO I -1.5 A C

Другие транзисторы: 3CG9, 3CG9012, 3CG926, 3CG937, 3CG950, 3CG952, 3CG953, 3CG953M, 2N5401, 3CG966, 3CG966T, 3CG970, 3CK005, 3CK010, 3CK05, 3CK050, 3CK10