Справочник транзисторов. 3CG966T

 

Биполярный транзистор 3CG966T Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: 3CG966T
   Маркировка: H96O_H96Y
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 120 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 30 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
   Корпус транзистора: SOT89
 

 Аналог (замена) для 3CG966T

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

3CG966T Datasheet (PDF)

 ..1. Size:471K  lzg
 3cg966t.pdf pdf_icon

3CG966T

2SA966T(3CG966T) PNP /SILICON PNP TRANSISTOR :/Purpose: AF power amplifier applications. : 2SC2236T(3DG2236T) Features: Complementary to 2SC2236T(3DG2236T). /Absolute maximum ratings(Ta=25) Symbol Rating Unit V -30 V CBO V -30 V CEO V -5.0 V EBO I -1.5 A C

 8.1. Size:230K  lzg
 3cg966.pdf pdf_icon

3CG966T

2SA966(3CG966) PNP /SILICON PNP TRANSISTOR :/Purpose: AF power amplifier applications. : 2SC2236(3DG2236), 3W Features: Complementary to 2SC2236(3DG2236) and 3 Watts output applications. /Absolute maximum ratings(Ta=25) Symbol Rating Unit V -30 V CBO

 9.1. Size:213K  lzg
 3cg965.pdf pdf_icon

3CG966T

2SA965(3CG965) PNP /SILICON PNP TRANSISTOR : Purpose: Power amplifier applications, driver stage amplifier applications. : 2SC2235(3DG2235) Features: Complementary pair with 2SC2235(3DG2235). /Absolute maximum ratings(Ta=25) Symbol Rating Unit V -120 V

Другие транзисторы... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , 2SC4793 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .

History: 3CG1182 | SM58B

 

 
Back to Top

 


 
.