Справочник транзисторов. 3CG966T

 

Биполярный транзистор 3CG966T - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: 3CG966T
   Маркировка: H96O_H96Y
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 120 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 30 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
   Корпус транзистора: SOT89

 Аналоги (замена) для 3CG966T

 

 

3CG966T Datasheet (PDF)

 ..1. Size:471K  lzg
3cg966t.pdf

3CG966T
3CG966T

2SA966T(3CG966T) PNP /SILICON PNP TRANSISTOR :/Purpose: AF power amplifier applications. : 2SC2236T(3DG2236T) Features: Complementary to 2SC2236T(3DG2236T). /Absolute maximum ratings(Ta=25) Symbol Rating Unit V -30 V CBO V -30 V CEO V -5.0 V EBO I -1.5 A C

 8.1. Size:230K  lzg
3cg966.pdf

3CG966T
3CG966T

2SA966(3CG966) PNP /SILICON PNP TRANSISTOR :/Purpose: AF power amplifier applications. : 2SC2236(3DG2236), 3W Features: Complementary to 2SC2236(3DG2236) and 3 Watts output applications. /Absolute maximum ratings(Ta=25) Symbol Rating Unit V -30 V CBO

 9.1. Size:213K  lzg
3cg965.pdf

3CG966T
3CG966T

2SA965(3CG965) PNP /SILICON PNP TRANSISTOR : Purpose: Power amplifier applications, driver stage amplifier applications. : 2SC2235(3DG2235) Features: Complementary pair with 2SC2235(3DG2235). /Absolute maximum ratings(Ta=25) Symbol Rating Unit V -120 V

Другие транзисторы... 2SA1771 , 2SA178 , 2SA1790 , 2SA1791 , 2SA1792 , 2SA1793 , 2SA1794 , 2SA1795 , 2N3906 , 2SA1799 , 2SA17H , 2SA18 , 2SA180 , 2SA1800 , 2SA1800O , 2SA1800R , 2SA1800Y .

 

 
Back to Top