3CK1216. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 3CK1216

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 120 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 40

Корпус транзистора: TO251

 Аналоги (замена) для 3CK1216

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

3CK1216 даташит

 ..1. Size:193K  china
 3ck1216.pdf pdf_icon

3CK1216

3CK1216 PNP Ta=25 1 PCM W Ta=75 20 IC 4 A Tjm 150 Tstg -55 150 ICB=0.01m V(BR)CBO 120 V A V(BR)CEO ICE=1mA 100 V IEB=0.01m V(BR)EBO 6 V A ICBO VCB=100V 1 A ICBO VCB=4V 1 A IC=2A VBEsat 1.2 V IB=0.2A VCEsat 0.5 VCE=5V

 9.1. Size:122K  china
 3ck120.pdf pdf_icon

3CK1216

3CK120 PNP A B C D E PCM 500 mW ICM 200 mA Tjm 175 Tstg -55 150 V(BR)CBO ICB=0.1mA 20 35 50 20 35 V V(BR)CEO ICE=0.1mA 15 30 45 15 30 V V(BR)EBO IEB=0.1mA 4.0 V ICBO VCB=10V 0.5 A ICEO VCE=10V 0.5 A IEBO VEB=4V

Другие транзисторы: 3CK05, 3CK050, 3CK10, 3CK100, 3CK104, 3CK110, 3CK117, 3CK120, BC557, 3CK130, 3CK2, 3CK3, 3CK301, 3CK304, 3CK35, 3CK4, 3CK5323