3CK5323. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 3CK5323

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 10 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 75 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.2 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 50 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 40

Корпус транзистора: TO18

 Аналоги (замена) для 3CK5323

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

3CK5323 даташит

 ..1. Size:120K  china
 3ck5323.pdf pdf_icon

3CK5323

3CK5323 PNP PCM TA=25 10 W ICM 1.2 A Tjm 175 Tstg -55 150 RthJC 17.5 /W RthJA 175 V(BR)CBO ICB=10mA 75 V 50100 V(BR)CEO ICE=10mA 50 V 100 50 V(BR)EBO IEB=0.1mA 5.0 V 150 100 ICBO VCB=60V 5.0 mA 200 150 ICEO VCE=10V

Другие транзисторы: 3CK1216, 3CK130, 3CK2, 3CK3, 3CK301, 3CK304, 3CK35, 3CK4, 13003, 3CK9, 3DD03T, 3DD04T, 3DD05, 3DD05T, 3DD1, 3DD10, 3DD100