3DD05T. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 3DD05T

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 6 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 70

Корпус транзистора: TO276AB TO220 TO257

 Аналоги (замена) для 3DD05T

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

3DD05T даташит

 ..1. Size:144K  china
 3dd05t.pdf pdf_icon

3DD05T

3DD05T(DD05T) NPN PCM TC=75 30 W ICM 6 A Tjm 175 Tstg -55 150 VCE=10V Rth 3.33 /W IC=1A V(BR)CBO ICB=2mA 100 V V(BR)CEO ICE=2mA 60 V V(BR)EBO IEB=2mA 5.0 V ICBO VCB=50V 1.0 mA ICEO VCE=50V 1.0 mA IEBO VEB=4V 1.0 mA VBEsat

 9.1. Size:149K  china
 3dd05.pdf pdf_icon

3DD05T

3DD05(3DF05) NPN A B C D E F G PCM Tc=75 5 W ICM 0.7 A Tjm 175 Tstg -55 150 VCE=10V Rth 20 /W IC=0.1A V(BR)CBO ICB=5mA 80 150 200 250 350 450 600 V V(BR)CEO ICE=5mA 50 110 150 200 250 300 400 V V(BR)EBO IEB=1mA 6.0 V A-D

Другие транзисторы: 3CK304, 3CK35, 3CK4, 3CK5323, 3CK9, 3DD03T, 3DD04T, 3DD05, A733, 3DD1, 3DD10, 3DD100, 3DD101, 3DD102, 3DD103, 3DD104, 3DD11