Биполярный транзистор 3DD12 Даташит. Аналоги
Наименование производителя: 3DD12
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 500 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 50 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 10
Корпус транзистора: TO3
Аналог (замена) для 3DD12
3DD12 Datasheet (PDF)
3dd12.pdf
Shaanxi Qunli Electric Co., Ltd Add.:No. 1 Qunli Road,Baoji City,Shaanxi,China 3DD12NPN Silicon Low Frequency High Power Transistor Features: 1. Using triple-diffusion process.Excellent capacity in anti-burnout.Excellent second breakdown capacity. 2. Good temperature stability.Excellent thermal fatigue capability. 3. Implementation of standards: QZJ840611 4. Use for Low-speed swit
3dd128fh6d.pdf
NPN R 3DD128F H6D 3DD128F H6D VCEO 200 V NPN IC 3.5 A Ptot TC=25 50 W
3dd128fh8d.pdf
NPN R 3DD128F H8D 3DD128F H8D VCEO 200 V NPN IC 3.5 A Ptot TC=25 60 W
3dd128f h8d.pdf
NPN R 3DD128F H8D 3DD128F H8D VCEO 200 V NPN IC 3.5 A Ptot TC=25 60 W
Другие транзисторы... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , 8050 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .
History: 2SA1594 | 2SC3495 | 2N992 | HSB1109 | 2SB215 | 40953
History: 2SA1594 | 2SC3495 | 2N992 | HSB1109 | 2SB215 | 40953
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2sc1111 | bc239 transistor equivalent | 3sk41 | 2sc2240 transistor | c3198 | 2sc793 | 2sd313 replacement | 2n4249