3DD12. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 3DD12

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 500 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 50 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 10

Корпус транзистора: TO3

 Аналоги (замена) для 3DD12

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

3DD12 даташит

 ..1. Size:29K  shaanxi
 3dd12.pdf pdf_icon

3DD12

Shaanxi Qunli Electric Co., Ltd Add. No. 1 Qunli Road,Baoji City,Shaanxi,China 3DD12 NPN Silicon Low Frequency High Power Transistor Features 1. Using triple-diffusion process.Excellent capacity in anti-burnout.Excellent second breakdown capacity. 2. Good temperature stability.Excellent thermal fatigue capability. 3. Implementation of standards QZJ840611 4. Use for Low-speed swit

 0.1. Size:150K  crhj
 3dd128fh6d.pdf pdf_icon

3DD12

 0.2. Size:154K  crhj
 3dd128fh8d.pdf pdf_icon

3DD12

 0.3. Size:155K  crhj
 3dd128f h8d.pdf pdf_icon

3DD12

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 3DD1, 3DD10, 3DD100, 3DD101, 3DD102, 3DD103, 3DD104, 3DD11, BC546, 3DD122, 3DD127D3, 3DD127D5, 3DD128A8D, 3DD128FA7D, 3DD128FH3D, 3DD128FH5D, 3DD128FH6D