Справочник транзисторов. 3DD12

 

Биполярный транзистор 3DD12 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: 3DD12
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 500 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 50 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 10
   Корпус транзистора: TO3
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

3DD12 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:29K  shaanxi
3dd12.pdfpdf_icon

3DD12

Shaanxi Qunli Electric Co., Ltd Add.:No. 1 Qunli Road,Baoji City,Shaanxi,China 3DD12NPN Silicon Low Frequency High Power Transistor Features: 1. Using triple-diffusion process.Excellent capacity in anti-burnout.Excellent second breakdown capacity. 2. Good temperature stability.Excellent thermal fatigue capability. 3. Implementation of standards: QZJ840611 4. Use for Low-speed swit

 0.1. Size:150K  crhj
3dd128fh6d.pdfpdf_icon

3DD12

NPN R 3DD128F H6D 3DD128F H6D VCEO 200 V NPN IC 3.5 A Ptot TC=25 50 W

 0.2. Size:154K  crhj
3dd128fh8d.pdfpdf_icon

3DD12

NPN R 3DD128F H8D 3DD128F H8D VCEO 200 V NPN IC 3.5 A Ptot TC=25 60 W

 0.3. Size:155K  crhj
3dd128f h8d.pdfpdf_icon

3DD12

NPN R 3DD128F H8D 3DD128F H8D VCEO 200 V NPN IC 3.5 A Ptot TC=25 60 W

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

History: PN4142 | SGSIF444 | 2SD1409Y | KRA723U | BF368K | 2SC393

 

 
Back to Top

 


 
.