All Transistors. 3DD12 Datasheet

 

3DD12 Datasheet, Equivalent, Cross Reference Search

Type Designator: 3DD12

Material of Transistor: Si

Polarity: NPN

Maximum Collector Power Dissipation (Pc): 500 W

Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce|: 50 V

Maximum Emitter-Base Voltage |Veb|: 3 V

Maximum Collector Current |Ic max|: 50 A

Max. Operating Junction Temperature (Tj): 175 °C

Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN: 10

Noise Figure, dB: -

Package: TO3

3DD12 Transistor Equivalent Substitute - Cross-Reference Search

3DD12 Datasheet (PDF)

1.1. 3dd128f_a7d.pdf Size:147K _crhj

3DD12
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硅三重扩散 NPN 双极型晶体管 R ○ 3DD128F A7D 产品概述 特征参数 产品特点 ● 开关损耗低 3DD128F A7D 是硅 NPN 符 号 额定值 单 位 ● 反向漏电流小 VCEO 200 V 型功率开关晶体管,该产品 ● 高温特性好 IC 5 A 采用平面工艺,少 子 寿命控 ● 合适的开关速度 Ptot (TC=25℃) 50 W 制技术,

1.2. 3dd128_a8d.pdf Size:154K _crhj

3DD12
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硅三重扩散 NPN 双极型晶体管 R ○ 3DD128 A8D 产品概述 特征参数 产品特点 ● 开关损耗低 3DD128 A8D 是硅 NPN 符 号 额定值 单 位 ● 反向漏电流小 VCEO 200 V 型功率开关晶体管, 该产品 ● 高温特性好 IC 5 A 采用平面工艺, 少子寿命控 ● 合适的开关速度 Ptot (TC=25℃) 60 W 制技术

1.3. 3dd128f_h8d.pdf Size:155K _crhj

3DD12
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硅三重扩散 NPN 双极型晶体管 R ○ 3DD128F H8D 产品概述 特征参数 产品特点 ● 开关损耗低 3DD128F H8D 是 硅 符 号 额定值 单 位 ● 反向漏电流小 VCEO 200 V NPN 型功率开关晶体管,该 ● 高温特性好 IC 3.5 A 产品采用平面工艺, 少子寿 ● 合适的开关速度 Ptot (TC=25℃) 60 W 命控制技

1.4. 3dd128_y8d.pdf Size:155K _crhj

3DD12
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硅三重扩散 NPN 双极型晶体管 R ○ 3DD128 Y8D 产品概述 特征参数 产品特点 ● 开关损耗低 3DD128 Y8D 是硅 NPN 符 号 额定值 单 位 ● 反向漏电流小 VCEO 200 V 型功率开关晶体管, 该产品 ● 高温特性好 IC 4 A 采用平面工艺, 分压环终端 ● 合适的开关速度 Ptot (TC=25℃) 60 W 结构和

1.5. 3dd128f_h3d.pdf Size:148K _crhj

3DD12
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硅三重扩散 NPN 双极型晶体管 R ○ 3DD128F H3D 产品概述 特征参数 产品特点 ● 开关损耗低 3DD128F H3D 是 硅 符 号 额定值 单 位 ● 反向漏电流小 VCEO 200 V NPN 型功率开关晶体管,该 ● 高温特性好 IC 3.5 A 产品采用平面工艺, 少子寿 ● 合适的开关速度 Ptot (TC=25℃) 40 W 命控制技

1.6. 3dd127_d5.pdf Size:147K _crhj

3DD12
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硅三重扩散 NPN 双极型晶体管 R ○ 3DD127 D5 产品概述 特征参数 产品特点 ● 开关损耗低 3DD127 D5 是硅 NPN 符 号 额定值 单 位 ● 反向漏电流小 型功率开关晶体管, VCEO 400 V 该产品 ● 高温特性好 IC 2.5 A 采用平面工艺, 分压环终端 ● 合适的开关速度 Ptot W (TC=25℃) 40 结构和

1.7. 3dd127d.pdf Size:151K _crhj

3DD12
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硅三重扩散 NPN 双极型晶体管 R ○ 3DD127D 产品概述 特征参数 产品特点 3DD127D 是硅 NPN 型 ● 开关损耗低 符 号 额定值 单 位 ● 反向漏电流小 功率开关晶体管, VCEO 400 V 该产品采 ● 高温特性好 IC 2.5 A 用平面工艺, 分压环终端结 ● 合适的开关速度 Ptot (TC=25℃) 50 W 构和少子

1.8. 3dd127_d3.pdf Size:148K _crhj

3DD12
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硅三重扩散 NPN 双极型晶体管 R ○ 3DD127 D3 产品概述 特征参数 产品特点 3DD127 D3 是硅 NPN ● 开关损耗低 符 号 额定值 单 位 ● 反向漏电流小 型功率开关晶体管, VCEO 400 V 该产品 ● 高温特性好 IC 2.5 A 采用平面工艺, 分压环终端 ● 合适的开关速度 Ptot (TC=25℃) 40 W 结构和少

1.9. 3dd128f.pdf Size:151K _crhj

3DD12
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硅三重扩散 NPN 双极型晶体管 R ○ 3DD128F 产品概述 特征参数 产品特点 3DD128F 是硅 NPN 型 ● 开关损耗低 符 号 额定值 单 位 ● 反向漏电流小 VCEO 200 V 功率开关晶体管, 该产品采 ● 高温特性好 IC 4 A 用平面工艺, 分压环终端结 ● 合适的开关速度 Ptot (TC=25℃) 50 W 构和少子寿

1.10. 3dd128f_h5d.pdf Size:148K _crhj

3DD12
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硅三重扩散 NPN 双极型晶体管 R ○ 3DD128F H5D 产品概述 特征参数 产品特点 3DD128F H5D 是 硅 ● 开关损耗低 符 号 额定值 单 位 ● 反向漏电流小 VCEO 200 V NPN 型功率开关晶体管,该 ● 高温特性好 IC 3.5 A 产品采用平面工艺, 少子寿 ● 合适的开关速度 Ptot (TC=25℃) 50 W 命控制技术

1.11. 3dd128f_h6d.pdf Size:150K _crhj

3DD12
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硅三重扩散 NPN 双极型晶体管 R ○ 3DD128F H6D 产品概述 特征参数 产品特点 ● 开关损耗低 3DD128F H6D 是 硅 符 号 额定值 单 位 ● 反向漏电流小 VCEO 200 V NPN 型功率开关晶体管,该 ● 高温特性好 IC 3.5 A 产品采用平面工艺, 少子寿 ● 合适的开关速度 Ptot (TC=25℃) 50 W 命控制技

1.12. 3dd127d3.pdf Size:145K _china

3DD12
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硅三重扩散 NPN 双极型晶体管 R ○ 3DD127 D3 产品概述 特征参数 产品特点 ● 开关损耗低 3DD127 D3 是硅 NPN 符 号 额定值 单 位 ● 反向漏电流小 型功率开关晶体管, VCEO 400 V 该产品 ● 高温特性好 IC 2.5 A 采用平面工艺, 分压环终端 ● 合适的开关速度 Ptot W (TC=25℃) 40 结构和

1.13. 3dd12.pdf Size:29K _china

3DD12

Shaanxi Qunli Electric Co., Ltd Add.:No. 1 Qunli Road,Baoji City,Shaanxi,China 3DD12 NPN Silicon Low Frequency High Power Transistor Features: 1. Using triple-diffusion process.Excellent capacity in anti-burnout.Excellent second breakdown capacity. 2. Good temperature stability.Excellent thermal fatigue capability. 3. Implementation of standards: QZJ840611 4. Use for Low-speed swit

1.14. 3dd128fh5d.pdf Size:143K _china

3DD12
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硅三重扩散 NPN 双极型晶体管 R ○ 3DD128F H5D 产品概述 特征参数 产品特点 ● 开关损耗低 3DD128F H5D 是 硅 符 号 额定值 单 位 ● 反向漏电流小 VCEO 200 V NPN 型功率开关晶体管,该 ● 高温特性好 IC 3.5 A 产品采用平面工艺, 少子寿 ● 合适的开关速度 Ptot (TC=25℃) 50 W 命控制技

1.15. 3dd122.pdf Size:125K _china

3DD12

3DD122(TIP122)型 NPN 硅低频大功率晶体管 参数符号 测试条件 规范值 单位 PCM Tc=25℃ 65 W 直流 5 I A 脉冲 8 极 Tjm 150 ℃ 限 值 Tstg -55~150 ℃ VCE=10V Rth 1.9 ℃/W IC=1.5A V(BR)CBO ICB=2mA ≥100 V V(BR)CEO ICE=10mA ≥100 V V(BR)EBO IEB=1mA ≥5.0 V VCB= 100V ≤0.2 ICBO VCB= 0.5V mA ( BR)CBO 直 ≤2.0 Tc=125℃ 流

1.16. 3dd128y8d.pdf Size:155K _china

3DD12
3DD12

硅三重扩散 NPN 双极型晶体管 R ○ 3DD128 Y8D 产品概述 特征参数 产品特点 ● 开关损耗低 3DD128 Y8D 是硅 NPN 符 号 额定值 单 位 ● 反向漏电流小 VCEO 200 V 型功率开关晶体管, 该产品 ● 高温特性好 IC 4 A 采用平面工艺, 分压环终端 ● 合适的开关速度 Ptot (TC=25℃) 60 W 结构和

1.17. 3dd128fh3d.pdf Size:148K _china

3DD12
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硅三重扩散 NPN 双极型晶体管 R ○ 3DD128F H3D 产品概述 特征参数 产品特点 ● 开关损耗低 3DD128F H3D 是 硅 符 号 额定值 单 位 ● 反向漏电流小 VCEO 200 V NPN 型功率开关晶体管,该 ● 高温特性好 IC 3.5 A 产品采用平面工艺, 少子寿 ● 合适的开关速度 Ptot (TC=25℃) 40 W 命控制技

1.18. 3dd128a8d.pdf Size:154K _china

3DD12
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硅三重扩散 NPN 双极型晶体管 R ○ 3DD128 A8D 产品概述 特征参数 产品特点 ● 开关损耗低 3DD128 A8D 是硅 NPN 符 号 额定值 单 位 ● 反向漏电流小 VCEO 200 V 型功率开关晶体管, 该产品 ● 高温特性好 IC 5 A 采用平面工艺, 少子寿命控 ● 合适的开关速度 Ptot (TC=25℃) 60 W 制技术

1.19. 3dd128fa7d.pdf Size:146K _china

3DD12
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硅三重扩散 NPN 双极型晶体管 R ○ 3DD128F A7D 产品概述 特征参数 产品特点 ● 开关损耗低 3DD128F A7D 是硅 NPN 符 号 额定值 单 位 ● 反向漏电流小 VCEO 200 V 型功率开关晶体管,该产品 ● 高温特性好 IC 5 A 采用平面工艺,少 子 寿命控 ● 合适的开关速度 Ptot (TC=25℃) 50 W 制技术,

1.20. 3dd128fh8d.pdf Size:154K _china

3DD12
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硅三重扩散 NPN 双极型晶体管 R ○ 3DD128F H8D 产品概述 特征参数 产品特点 ● 开关损耗低 3DD128F H8D 是 硅 符 号 额定值 单 位 ● 反向漏电流小 VCEO 200 V NPN 型功率开关晶体管,该 ● 高温特性好 IC 3.5 A 产品采用平面工艺, 少子寿 ● 合适的开关速度 Ptot (TC=25℃) 60 W 命控制技

1.21. 3dd128fh6d.pdf Size:150K _china

3DD12
3DD12

硅三重扩散 NPN 双极型晶体管 R ○ 3DD128F H6D 产品概述 特征参数 产品特点 ● 开关损耗低 3DD128F H6D 是 硅 符 号 额定值 单 位 ● 反向漏电流小 VCEO 200 V NPN 型功率开关晶体管,该 ● 高温特性好 IC 3.5 A 产品采用平面工艺, 少子寿 ● 合适的开关速度 Ptot (TC=25℃) 50 W 命控制技

1.22. 3dd127d5.pdf Size:147K _china

3DD12
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硅三重扩散 NPN 双极型晶体管 R ○ 3DD127 D5 产品概述 特征参数 产品特点 ● 开关损耗低 3DD127 D5 是硅 NPN 符 号 额定值 单 位 ● 反向漏电流小 型功率开关晶体管, VCEO 400 V 该产品 ● 高温特性好 IC 2.5 A 采用平面工艺, 分压环终端 ● 合适的开关速度 Ptot W (TC=25℃) 40 结构和

Datasheet: 3DD1 , 3DD10 , 3DD100 , 3DD101 , 3DD102 , 3DD103 , 3DD104 , 3DD11 , 431 , 3DD122 , 3DD127D3 , 3DD127D5 , 3DD128A8D , 3DD128FA7D , 3DD128FH3D , 3DD128FH5D , 3DD128FH6D .

 


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