3DD12 Datasheet, Equivalent, Cross Reference Search

Type Designator: 3DD12

Material of Transistor: Si

Polarity: NPN

Maximum Collector Power Dissipation (Pc): 500 W

Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce|: 50 V

Maximum Emitter-Base Voltage |Veb|: 3 V

Maximum Collector Current |Ic max|: 50 A

Max. Operating Junction Temperature (Tj): 175 °C

Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN: 10

Noise Figure, dB: -

Package: TO3

3DD12 Transistor Equivalent Substitute - Cross-Reference Search

3DD12 Datasheet (PDF)

1.1. 3dd128f a7d.pdf Size:147K _crhj

硅三重扩散 NPN 双极型晶体管 R ○ 3DD128F A7D 产品概述特征参数产品特点 ● 开关损耗低 3DD128F A7D 是硅 NPN 符号额定值单位 ● 反向漏电流小 VCEO 200 V 型功率开关晶体管，该产品 ● 高温特性好 IC 5 A 采用平面工艺,少子寿命控 ● 合适的开关速度 Ptot （TC=25℃） 50 W 制技术，�

1.2. 3dd128 a8d.pdf Size:154K _crhj

硅三重扩散 NPN 双极型晶体管 R ○ 3DD128 A8D 产品概述特征参数产品特点 ● 开关损耗低 3DD128 A8D 是硅 NPN 符号额定值单位 ● 反向漏电流小 VCEO 200 V 型功率开关晶体管，该产品 ● 高温特性好 IC 5 A 采用平面工艺，少子寿命控 ● 合适的开关速度 Ptot （TC=25℃） 60 W 制技术

1.3. 3dd128f h8d.pdf Size:155K _crhj

硅三重扩散 NPN 双极型晶体管 R ○ 3DD128F H8D 产品概述特征参数产品特点 ● 开关损耗低 3DD128F H8D 是硅符号额定值单位 ● 反向漏电流小 VCEO 200 V NPN 型功率开关晶体管，该 ● 高温特性好 IC 3.5 A 产品采用平面工艺，少子寿 ● 合适的开关速度 Ptot （TC=25℃） 60 W 命控制技�

1.4. 3dd128 y8d.pdf Size:155K _crhj

硅三重扩散 NPN 双极型晶体管 R ○ 3DD128 Y8D 产品概述特征参数产品特点 ● 开关损耗低 3DD128 Y8D 是硅 NPN 符号额定值单位 ● 反向漏电流小 VCEO 200 V 型功率开关晶体管，该产品 ● 高温特性好 IC 4 A 采用平面工艺，分压环终端 ● 合适的开关速度 Ptot （TC=25℃） 60 W 结构和

1.5. 3dd128f h3d.pdf Size:148K _crhj

硅三重扩散 NPN 双极型晶体管 R ○ 3DD128F H3D 产品概述特征参数产品特点 ● 开关损耗低 3DD128F H3D 是硅符号额定值单位 ● 反向漏电流小 VCEO 200 V NPN 型功率开关晶体管，该 ● 高温特性好 IC 3.5 A 产品采用平面工艺，少子寿 ● 合适的开关速度 Ptot （TC=25℃） 40 W 命控制技�

1.6. 3dd127 d5.pdf Size:147K _crhj

硅三重扩散 NPN 双极型晶体管 R ○ 3DD127 D5 产品概述特征参数产品特点 ● 开关损耗低 3DD127 D5 是硅 NPN 符号额定值单位 ● 反向漏电流小型功率开关晶体管， VCEO 400 V 该产品 ● 高温特性好 IC 2.5 A 采用平面工艺，分压环终端 ● 合适的开关速度 Ptot W （TC=25℃） 40 结构和�

1.7. 3dd127d.pdf Size:151K _crhj

硅三重扩散 NPN 双极型晶体管 R ○ 3DD127D 产品概述特征参数产品特点 3DD127D 是硅 NPN 型 ● 开关损耗低符号额定值单位 ● 反向漏电流小功率开关晶体管， VCEO 400 V 该产品采 ● 高温特性好 IC 2.5 A 用平面工艺，分压环终端结 ● 合适的开关速度 Ptot （TC=25℃） 50 W 构和少子�

1.8. 3dd127 d3.pdf Size:148K _crhj

硅三重扩散 NPN 双极型晶体管 R ○ 3DD127 D3 产品概述特征参数产品特点 3DD127 D3 是硅 NPN ● 开关损耗低符号额定值单位 ● 反向漏电流小型功率开关晶体管， VCEO 400 V 该产品 ● 高温特性好 IC 2.5 A 采用平面工艺，分压环终端 ● 合适的开关速度 Ptot （TC=25℃） 40 W 结构和少�

1.9. 3dd128f.pdf Size:151K _crhj

硅三重扩散 NPN 双极型晶体管 R ○ 3DD128F 产品概述特征参数产品特点 3DD128F 是硅 NPN 型 ● 开关损耗低符号额定值单位 ● 反向漏电流小 VCEO 200 V 功率开关晶体管，该产品采 ● 高温特性好 IC 4 A 用平面工艺，分压环终端结 ● 合适的开关速度 Ptot （TC=25℃） 50 W 构和少子寿

1.10. 3dd128f h5d.pdf Size:148K _crhj

硅三重扩散 NPN 双极型晶体管 R ○ 3DD128F H5D 产品概述特征参数产品特点 3DD128F H5D 是硅 ● 开关损耗低符号额定值单位 ● 反向漏电流小 VCEO 200 V NPN 型功率开关晶体管，该 ● 高温特性好 IC 3.5 A 产品采用平面工艺，少子寿 ● 合适的开关速度 Ptot （TC=25℃） 50 W 命控制技术�

1.11. 3dd128f h6d.pdf Size:150K _crhj

硅三重扩散 NPN 双极型晶体管 R ○ 3DD128F H6D 产品概述特征参数产品特点 ● 开关损耗低 3DD128F H6D 是硅符号额定值单位 ● 反向漏电流小 VCEO 200 V NPN 型功率开关晶体管，该 ● 高温特性好 IC 3.5 A 产品采用平面工艺，少子寿 ● 合适的开关速度 Ptot （TC=25℃） 50 W 命控制技�

1.12. 3dd127d3.pdf Size:145K _china

硅三重扩散 NPN 双极型晶体管 R ○ 3DD127 D3 产品概述特征参数产品特点 ● 开关损耗低 3DD127 D3 是硅 NPN 符号额定值单位 ● 反向漏电流小型功率开关晶体管， VCEO 400 V 该产品 ● 高温特性好 IC 2.5 A 采用平面工艺，分压环终端 ● 合适的开关速度 Ptot W （TC=25℃） 40 结构和�

1.13. 3dd12.pdf Size:29K _china

Shaanxi Qunli Electric Co., Ltd Add.:No. 1 Qunli Road,Baoji City,Shaanxi,China 3DD12 NPN Silicon Low Frequency High Power Transistor Features: 1. Using triple-diffusion process.Excellent capacity in anti-burnout.Excellent second breakdown capacity. 2. Good temperature stability.Excellent thermal fatigue capability. 3. Implementation of standards: QZJ840611 4. Use for Low-speed swit

1.14. 3dd128fh5d.pdf Size:143K _china

硅三重扩散 NPN 双极型晶体管 R ○ 3DD128F H5D 产品概述特征参数产品特点 ● 开关损耗低 3DD128F H5D 是硅符号额定值单位 ● 反向漏电流小 VCEO 200 V NPN 型功率开关晶体管，该 ● 高温特性好 IC 3.5 A 产品采用平面工艺，少子寿 ● 合适的开关速度 Ptot （TC=25℃） 50 W 命控制技�

1.15. 3dd122.pdf Size:125K _china

3DD122(TIP122)型 NPN 硅低频大功率晶体管参数符号测试条件规范值单位 PCM Tc=25℃ 65 W 直流 5 I A 脉冲 8 极 Tjm 150 ℃ 限值 Tstg -55~150 ℃ VCE=10V Rth 1.9 ℃/W IC=1.5A V(BR)CBO ICB=2mA ≥100 V V(BR)CEO ICE=10mA ≥100 V V(BR)EBO IEB=1mA ≥5.0 V VCB= 100V ≤0.2 ICBO VCB= 0.5V mA （ BR）CBO 直 ≤2.0 Tc=125℃ 流

1.16. 3dd128y8d.pdf Size:155K _china