3DD128Y8D. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 3DD128Y8D

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 60 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 350 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 200 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 9 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 4 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 15

Корпус транзистора: TO220AB

 Аналоги (замена) для 3DD128Y8D

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

3DD128Y8D даташит

 ..1. Size:155K  crhj
 3dd128y8d.pdf pdf_icon

3DD128Y8D

NPN R 3DD128 Y8D 3DD128 Y8D NPN VCEO 200 V IC 4 A Ptot TC=25 60 W

 8.1. Size:150K  crhj
 3dd128fh6d.pdf pdf_icon

3DD128Y8D

 8.2. Size:154K  crhj
 3dd128fh8d.pdf pdf_icon

3DD128Y8D

 8.3. Size:155K  crhj
 3dd128f h8d.pdf pdf_icon

3DD128Y8D

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 3DD127D3, 3DD127D5, 3DD128A8D, 3DD128FA7D, 3DD128FH3D, 3DD128FH5D, 3DD128FH6D, 3DD128FH8D, SS8050, 3DD13001A1, 3DD13001P, 3DD13001P1, 3DD13002B1, 3DD13002B1-7, 3DD13002B1D, 3DD13002R1D, 3DD13002RUD