3DD128Y8D Datasheet, Equivalent, Cross Reference Search

Type Designator: 3DD128Y8D

Material of Transistor: Si

Polarity: NPN

Maximum Collector Power Dissipation (Pc): 60 W

Maximum Collector-Base Voltage |Vcb|: 350 V

Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce|: 200 V

Maximum Emitter-Base Voltage |Veb|: 9 V

Maximum Collector Current |Ic max|: 4 A

Max. Operating Junction Temperature (Tj): 150 °C

Transition Frequency (ft): 4 MHz

Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN: 15

Noise Figure, dB: -

Package: TO220AB

3DD128Y8D Transistor Equivalent Substitute - Cross-Reference Search

3DD128Y8D Datasheet (PDF)

1.1. 3dd128y8d.pdf Size:155K _china

硅三重扩散 NPN 双极型晶体管 R ○ 3DD128 Y8D 产品概述特征参数产品特点 ● 开关损耗低 3DD128 Y8D 是硅 NPN 符号额定值单位 ● 反向漏电流小 VCEO 200 V 型功率开关晶体管，该产品 ● 高温特性好 IC 4 A 采用平面工艺，分压环终端 ● 合适的开关速度 Ptot （TC=25℃） 60 W 结构和

4.1. 3dd128f a7d.pdf Size:147K _crhj

硅三重扩散 NPN 双极型晶体管 R ○ 3DD128F A7D 产品概述特征参数产品特点 ● 开关损耗低 3DD128F A7D 是硅 NPN 符号额定值单位 ● 反向漏电流小 VCEO 200 V 型功率开关晶体管，该产品 ● 高温特性好 IC 5 A 采用平面工艺,少子寿命控 ● 合适的开关速度 Ptot （TC=25℃） 50 W 制技术，�

4.2. 3dd128 a8d.pdf Size:154K _crhj

硅三重扩散 NPN 双极型晶体管 R ○ 3DD128 A8D 产品概述特征参数产品特点 ● 开关损耗低 3DD128 A8D 是硅 NPN 符号额定值单位 ● 反向漏电流小 VCEO 200 V 型功率开关晶体管，该产品 ● 高温特性好 IC 5 A 采用平面工艺，少子寿命控 ● 合适的开关速度 Ptot （TC=25℃） 60 W 制技术

4.3. 3dd128f h8d.pdf Size:155K _crhj

硅三重扩散 NPN 双极型晶体管 R ○ 3DD128F H8D 产品概述特征参数产品特点 ● 开关损耗低 3DD128F H8D 是硅符号额定值单位 ● 反向漏电流小 VCEO 200 V NPN 型功率开关晶体管，该 ● 高温特性好 IC 3.5 A 产品采用平面工艺，少子寿 ● 合适的开关速度 Ptot （TC=25℃） 60 W 命控制技�

4.4. 3dd128 y8d.pdf Size:155K _crhj

4.5. 3dd128f h3d.pdf Size:148K _crhj

硅三重扩散 NPN 双极型晶体管 R ○ 3DD128F H3D 产品概述特征参数产品特点 ● 开关损耗低 3DD128F H3D 是硅符号额定值单位 ● 反向漏电流小 VCEO 200 V NPN 型功率开关晶体管，该 ● 高温特性好 IC 3.5 A 产品采用平面工艺，少子寿 ● 合适的开关速度 Ptot （TC=25℃） 40 W 命控制技�

4.6. 3dd128f.pdf Size:151K _crhj

硅三重扩散 NPN 双极型晶体管 R ○ 3DD128F 产品概述特征参数产品特点 3DD128F 是硅 NPN 型 ● 开关损耗低符号额定值单位 ● 反向漏电流小 VCEO 200 V 功率开关晶体管，该产品采 ● 高温特性好 IC 4 A 用平面工艺，分压环终端结 ● 合适的开关速度 Ptot （TC=25℃） 50 W 构和少子寿

4.7. 3dd128f h5d.pdf Size:148K _crhj

硅三重扩散 NPN 双极型晶体管 R ○ 3DD128F H5D 产品概述特征参数产品特点 3DD128F H5D 是硅 ● 开关损耗低符号额定值单位 ● 反向漏电流小 VCEO 200 V NPN 型功率开关晶体管，该 ● 高温特性好 IC 3.5 A 产品采用平面工艺，少子寿 ● 合适的开关速度 Ptot （TC=25℃） 50 W 命控制技术�

4.8. 3dd128f h6d.pdf Size:150K _crhj

硅三重扩散 NPN 双极型晶体管 R ○ 3DD128F H6D 产品概述特征参数产品特点 ● 开关损耗低 3DD128F H6D 是硅符号额定值单位 ● 反向漏电流小 VCEO 200 V NPN 型功率开关晶体管，该 ● 高温特性好 IC 3.5 A 产品采用平面工艺，少子寿 ● 合适的开关速度 Ptot （TC=25℃） 50 W 命控制技�

4.9. 3dd128fh5d.pdf Size:143K _china

硅三重扩散 NPN 双极型晶体管 R ○ 3DD128F H5D 产品概述特征参数产品特点 ● 开关损耗低 3DD128F H5D 是硅符号额定值单位 ● 反向漏电流小 VCEO 200 V NPN 型功率开关晶体管，该 ● 高温特性好 IC 3.5 A 产品采用平面工艺，少子寿 ● 合适的开关速度 Ptot （TC=25℃） 50 W 命控制技�

4.10. 3dd128fh3d.pdf Size:148K _china