Биполярный транзистор 3DD13002B1D - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 3DD13002B1D
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.8 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 600 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 9 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 5 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 15
Корпус транзистора: TO92
Аналоги (замена) для 3DD13002B1D
3DD13002B1D Datasheet (PDF)
3dd13002b1d.pdf
NPN R 3DD13002 B1D 3DD13002 B1D VCEO 400 V NPN IC 0.5 A Ptot Ta=25 0.8 W
3dd13002b1-7.pdf
NPN R 3DD13002 B1-7 3DD13002 B1-7 VCEO 450 V NPN IC 0.5 A Ptot Ta=25 0.7 W
3dd13002b1.pdf
NPN R 3DD13002 B1 3DD13002 B1 NPN VCEO 400 V IC 0.5 A Ptot Ta=25 0.8 W
3dd13002b1.pdf
NPN R 3DD13002 B1 3DD13002 B1 NPN VCEO 400 V IC 0.5 A Ptot Ta=25 0.8 W
Другие транзисторы... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , 2SA1837 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .