3DD13002B1D Todos los transistores

 

3DD13002B1D . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 3DD13002B1D
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.8 W
   Tensión colector-base (Vcb): 600 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 400 V
   Tensión emisor-base (Veb): 9 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.5 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 5 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 15
   Paquete / Cubierta: TO92
 
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3DD13002B1D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:183K  crhj
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3DD13002B1D

NPN R 3DD13002 B1D 3DD13002 B1D VCEO 400 V NPN IC 0.5 A Ptot Ta=25 0.8 W

 4.1. Size:178K  crhj
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3DD13002B1D

NPN R 3DD13002 B1-7 3DD13002 B1-7 VCEO 450 V NPN IC 0.5 A Ptot Ta=25 0.7 W

 4.2. Size:182K  crhj
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3DD13002B1D

NPN R 3DD13002 B1 3DD13002 B1 NPN VCEO 400 V IC 0.5 A Ptot Ta=25 0.8 W

 4.3. Size:197K  wuxi china
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3DD13002B1D

NPN R 3DD13002 B1 3DD13002 B1 NPN VCEO 400 V IC 0.5 A Ptot Ta=25 0.8 W

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