Биполярный транзистор 3DD13003F3D Даташит. Аналоги
Наименование производителя: 3DD13003F3D
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 600 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 9 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 5 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 15
Корпус транзистора: TO251
Аналог (замена) для 3DD13003F3D
3DD13003F3D Datasheet (PDF)
3dd13003f3d.pdf
NPN R 3DD13003 F3D 3DD13003 F3D VCEO 400 V NPN IC 1.5 A Ptot Tc=25 30 W
3dd13003f6d.pdf
NPN R 3DD13003 F6D 3DD13003 F6D VCEO 400 V NPN IC 1.5 A Ptot Tc=25 50 W
3dd13003f1d.pdf
NPN R 3DD13003 F1D 3DD13003 F1D VCEO 400 V NPN IC 1.5 A Ptot Ta=25 0.8 W
3dd13003f6.pdf
NPN R 3DD13003 F6 3DD13003 F6 NPN VCEO 400 V IC 1.5 A Ptot Tc=25 50 W
Другие транзисторы... 3DD13001P1 , 3DD13002B1 , 3DD13002B1-7 , 3DD13002B1D , 3DD13002R1D , 3DD13002RUD , 3DD13003E6D , 3DD13003F1D , S9013 , 3DD13003F6D , 3DD13003H1D , 3DD13003H3D , 3DD13003H6D , 3DD13003H8D , 3DD13003J6D , 3DD13003J8D , 3DD13003K6 .
History: NB023EV | NB023H | MUN5335DW1T1G | NB023FJ | NB111FI | MJE13002-E | PDTA144EM
History: NB023EV | NB023H | MUN5335DW1T1G | NB023FJ | NB111FI | MJE13002-E | PDTA144EM
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2sa1220 | 2sa940 | 2sc627 | 2sc680 | 2sd234 | 2sc9014 | a970 transistor | 2sb560