3DD13003F3D datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 3DD13003F3D  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 600 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 9 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 5 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 15

Корпус транзистора: TO251

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 3DD13003F3D

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

3DD13003F3D даташит

 ..1. Size:149K  crhj
 3dd13003f3d.pdf pdf_icon

3DD13003F3D

NPN R 3DD13003 F3D 3DD13003 F3D VCEO 400 V NPN IC 1.5 A Ptot Tc=25 30 W

 5.1. Size:151K  crhj
 3dd13003f6d.pdf pdf_icon

3DD13003F3D

 5.2. Size:182K  crhj
 3dd13003f1d.pdf pdf_icon

3DD13003F3D

 5.3. Size:150K  wuxi china
 3dd13003f6.pdf pdf_icon

3DD13003F3D

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 3DD13001P1, 3DD13002B1, 3DD13002B1-7, 3DD13002B1D, 3DD13002R1D, 3DD13002RUD, 3DD13003E6D, 3DD13003F1D, BD177, 3DD13003F6D, 3DD13003H1D, 3DD13003H3D, 3DD13003H6D, 3DD13003H8D, 3DD13003J6D, 3DD13003J8D, 3DD13003K6