Справочник транзисторов. 3DD13003H1D

 

Биполярный транзистор 3DD13003H1D - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: 3DD13003H1D
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.8 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 600 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 9 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.8 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 5 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 15
   Корпус транзистора: TO92

 Аналоги (замена) для 3DD13003H1D

 

 

3DD13003H1D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:183K  crhj
 3dd13003h1d.pdf

3DD13003H1D 3DD13003H1D

NPN R 3DD13003 H1D 3DD13003 H1D VCEO 400 V NPN IC 1.8 A Ptot Ta=25 0.8 W

 5.1. Size:151K  crhj
 3dd13003h6d.pdf

3DD13003H1D 3DD13003H1D

NPN R 3DD13003 H6D 3DD13003 H6D VCEO 400 V NPN IC 1.8 A Ptot Tc=25 50 W

 5.2. Size:317K  crhj
 3dd13003h3d.pdf

3DD13003H1D 3DD13003H1D

R NPN 3DD13003H3D1 3DD13003H3D NPN VCEO 400 V IC 1.8 A Ptot TC=25

 5.3. Size:153K  crhj
 3dd13003h8d.pdf

3DD13003H1D 3DD13003H1D

NPN R 3DD13003 H8D 3DD13003 H8D VCEO 400 V NPN IC 1.8 A Ptot TC=25 60 W

 5.4. Size:151K  wuxi china
 3dd13003h6d.pdf

3DD13003H1D 3DD13003H1D

NPN R 3DD13003 H6D 3DD13003 H6D VCEO 400 V NPN IC 1.8 A Ptot Tc=25 50 W

Другие транзисторы... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , D209L , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .

 

 
Back to Top