3DD13003H6D datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 3DD13003H6D  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 600 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 9 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.8 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 5 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 15

Корпус транзистора: TO126

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 3DD13003H6D

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

3DD13003H6D даташит

 ..1. Size:151K  crhj
 3dd13003h6d.pdf pdf_icon

3DD13003H6D

NPN R 3DD13003 H6D 3DD13003 H6D VCEO 400 V NPN IC 1.8 A Ptot Tc=25 50 W

 ..2. Size:151K  wuxi china
 3dd13003h6d.pdf pdf_icon

3DD13003H6D

NPN R 3DD13003 H6D 3DD13003 H6D VCEO 400 V NPN IC 1.8 A Ptot Tc=25 50 W

 5.1. Size:183K  crhj
 3dd13003h1d.pdf pdf_icon

3DD13003H6D

 5.2. Size:317K  crhj
 3dd13003h3d.pdf pdf_icon

3DD13003H6D

R NPN 3DD13003H3D 1 3DD13003H3D NPN VCEO 400 V IC 1.8 A Ptot TC=25

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 3DD13002R1D, 3DD13002RUD, 3DD13003E6D, 3DD13003F1D, 3DD13003F3D, 3DD13003F6D, 3DD13003H1D, 3DD13003H3D, 2SC5198, 3DD13003H8D, 3DD13003J6D, 3DD13003J8D, 3DD13003K6, 3DD13003K8, 3DD13003M6D, 3DD13003M8D, 3DD13003S1D