3DD13003K6 - аналоги и даташиты биполярного транзистора

 

3DD13003K6 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: 3DD13003K6
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 700 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 9 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.8 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 5 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 15
   Корпус транзистора: TO126

 Аналоги (замена) для 3DD13003K6

 

3DD13003K6 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:150K  crhj
3dd13003k6.pdfpdf_icon

3DD13003K6

 5.1. Size:154K  crhj
3dd13003k8.pdfpdf_icon

3DD13003K6

 6.1. Size:2520K  secos
3dd13003b.pdfpdf_icon

3DD13003K6

3DD13003B 1.5A , 700V NPN Plastic-Encapsulated Transistor Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen & lead-free FEATURES TO-92 Power switching applications A D Millimeter REF. Min. Max. B A 4.40 4.70 B 4.30 4.70 C 12.70 - D 3.30 3.81 Collector E 0.36 0.56 2 E C F 0.36 0.51 F G 1.27 TYP. H 1.10 - J 2

 6.2. Size:711K  jiangsu
3dd13003b.pdfpdf_icon

3DD13003K6

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors TO-92 3DD13003B TRANSISTOR( NPN ) 1. EMITTER 2. COLLECTOR FEATURES 3. BASE power switching applications MAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Unit VCBO Collector-Base Voltage 700 V VCEO Collector-Emitter Voltage 400 V VEBO Emitter-Base Vol

Другие транзисторы... 3DD13003F3D , 3DD13003F6D , 3DD13003H1D , 3DD13003H3D , 3DD13003H6D , 3DD13003H8D , 3DD13003J6D , 3DD13003J8D , TIP2955 , 3DD13003K8 , 3DD13003M6D , 3DD13003M8D , 3DD13003S1D , 3DD13003SUD , 3DD13003U1D , 3DD13003U3D , 3DD13003U6D .

 

 
Back to Top

 


 
.