Справочник транзисторов. 3DD13003M6D

 

Биполярный транзистор 3DD13003M6D Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: 3DD13003M6D
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 700 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 9 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 5 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 15
   Корпус транзистора: TO126
 

 Аналог (замена) для 3DD13003M6D

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

3DD13003M6D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:151K  crhj
3dd13003m6d.pdfpdf_icon

3DD13003M6D

NPN R 3DD13003 M6D 3DD13003 M6D NPN VCEO 400 V IC 2 A Ptot W TC=25 50

 5.1. Size:155K  crhj
3dd13003m8d.pdfpdf_icon

3DD13003M6D

NPN R 3DD13003 M8D 3DD13003 M8D NPN VCEO 400 V IC 2 A Ptot W TC=25 60

 5.2. Size:168K  wuxi china
3dd13003m8d.pdfpdf_icon

3DD13003M6D

NPN R 3DD13003 M8D 3DD13003 M8D NPN VCEO 400 V IC 2 A Ptot TC=25 60 W

 6.1. Size:2520K  secos
3dd13003b.pdfpdf_icon

3DD13003M6D

3DD13003B 1.5A , 700V NPN Plastic-Encapsulated Transistor Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen & lead-free FEATURES TO-92 Power switching applications ADMillimeter REF. Min. Max. BA 4.40 4.70 B 4.30 4.70 C 12.70 - D 3.30 3.81 Collector E 0.36 0.56 2 E CF 0.36 0.51 FG 1.27 TYP. H 1.10 - J 2

Другие транзисторы... 3DD13003H1D , 3DD13003H3D , 3DD13003H6D , 3DD13003H8D , 3DD13003J6D , 3DD13003J8D , 3DD13003K6 , 3DD13003K8 , D882P , 3DD13003M8D , 3DD13003S1D , 3DD13003SUD , 3DD13003U1D , 3DD13003U3D , 3DD13003U6D , 3DD13003V1D , 3DD13003V6D .

 

 
Back to Top

 


 
.