Справочник транзисторов. 3DD13003U6D

 

Биполярный транзистор 3DD13003U6D Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: 3DD13003U6D
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 35 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 350 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 200 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 9 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.8 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 4 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 15
   Корпус транзистора: TO126
 

 Аналог (замена) для 3DD13003U6D

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

3DD13003U6D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:151K  crhj
3dd13003u6d.pdfpdf_icon

3DD13003U6D

NPN R 3DD13003 U6D 3DD13003 U6D VCEO 200 V NPN IC 1.8 A Ptot TC=25 35 W

 5.1. Size:183K  crhj
3dd13003u1d.pdfpdf_icon

3DD13003U6D

NPN R 3DD13003 U1D 3DD13003 U1D VCEO 200 V NPN IC 1.8 A Ptot Ta=25 0.8 W

 5.2. Size:148K  crhj
3dd13003u3d.pdfpdf_icon

3DD13003U6D

NPN R 3DD13003 U3D 3DD13003 U3D VCEO 200 V NPN IC 1.8 A Ptot TC=25 30 W

 6.1. Size:2520K  secos
3dd13003b.pdfpdf_icon

3DD13003U6D

3DD13003B 1.5A , 700V NPN Plastic-Encapsulated Transistor Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen & lead-free FEATURES TO-92 Power switching applications ADMillimeter REF. Min. Max. BA 4.40 4.70 B 4.30 4.70 C 12.70 - D 3.30 3.81 Collector E 0.36 0.56 2 E CF 0.36 0.51 FG 1.27 TYP. H 1.10 - J 2

Другие транзисторы... 3DD13003K6 , 3DD13003K8 , 3DD13003M6D , 3DD13003M8D , 3DD13003S1D , 3DD13003SUD , 3DD13003U1D , 3DD13003U3D , D667 , 3DD13003V1D , 3DD13003V6D , 3DD13003VUD , 3DD13003W3D , 3DD13003W6D , 3DD13003X1 , 3DD13005A1 , 3DD13005A3 .

 

 
Back to Top

 


 
.